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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种器件外延层参数估算方法、系统、功率器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116520116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310268278.6，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种器件外延层参数估算方法、系统、功率器件结构是由盛况;吴九鹏;任娜设计研发完成，并于2023-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种器件外延层参数估算方法、系统、功率器件结构在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域中的一种器件外延层参数估算方法、系统、功率器件结构，包括以下步骤：计算器件耗尽区的总体积‑耗尽深度函数关系式；基于总体积‑耗尽深度函数关系式获取器件的电容‑电压函数关系式，并基于电容‑电压函数关系式生成外延层的表观掺杂浓度‑外延深度函数关系式；通过实验测试，获取器件的电容‑电压特性数据，并基于电容‑电压特性数据计算外延层的表观掺杂浓度‑外延深度数据；采用曲线拟合方法，拟合表观掺杂浓度‑外延深度函数关系式与表观掺杂浓度‑外延深度数据，得到器件外延层的实际掺杂浓度和外延厚度，解决了在不破坏器件的情况下，准确计算器件外延层的掺杂浓度和厚度的问题。

本发明授权一种器件外延层参数估算方法、系统、功率器件结构在权利要求书中公布了：1.一种器件外延层参数估算方法，其特征在于，包括以下步骤： 计算器件耗尽区的总体积-耗尽深度函数关系式，具体地，包括以下步骤：器件阻断状态下，将器件外延层的耗尽区近似几何体处理；重复更改外加电压，获取不同外加电压下，器件耗尽区的尺寸变化参数；基于所述尺寸变化参数生成器件耗尽区的总体积-耗尽深度函数关系式，其中，所述总体积-耗尽深度函数关系式为：，其中，为总体积，A为器件有源区面积，为器件的P+区域下方耗尽区深度，为器件的结终端扩展结构的长度，为器件的结终端扩展结构内部耗尽区宽度，为器件的外延层内部耗尽区扩展宽度，为P+区域的深度； 基于所述总体积-耗尽深度函数关系式获取器件的电容-电压函数关系式，并基于所述电容-电压函数关系式生成外延层的表观掺杂浓度-外延深度函数关系式； 具体地，基于所述总体积-耗尽深度函数关系式获取器件的电容-电压函数关系式，包括以下步骤：获取不同外加电压下，电压与耗尽区的耗尽深度之间的变化关系，得到电压-耗尽深度函数关系式；基于电容定义、所述电压-耗尽深度函数关系式以及所述总体积-耗尽深度函数关系式，生成电容-电压函数关系式，其中，所述电容-电压函数关系式为：，其中，C为电容，q为元电荷量，为器件外延层的实际掺杂浓度，为器件阴极上的电势，，为结终端扩展结构的掺杂浓度，，为半导体介电常数，、、、、、、、、、、、均为待定系数； 具体地，基于所述电容-电压函数关系式生成外延层的表观掺杂浓度-外延深度函数关系式，包括以下步骤：基于平行平面结模型，推导表观掺杂浓度-电容关系式；基于所述表观掺杂浓度-电容关系式以及所述电容-电压函数关系式，得到表观掺杂浓度-外延深度函数关系式，其中，所述表观掺杂浓度-外延深度函数关系式为：； 通过实验测试，获取器件的电容-电压特性数据，并基于所述电容-电压特性数据计算外延层的表观掺杂浓度-外延深度数据； 采用曲线拟合方法，拟合所述表观掺杂浓度-外延深度函数关系式与所述表观掺杂浓度-外延深度数据，得到器件外延层的实际掺杂浓度和外延厚度。

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