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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种防强力撞击材料制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116463581B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310184499.5，技术领域涉及：C23C8/08；该发明授权一种防强力撞击材料制备方法是由李文欣;吴俊义;邵中魁;董源;褚长勇;张巨勇;陆志平;龚友平;陈昌;王万强;陈国金设计研发完成，并于2023-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种防强力撞击材料制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种防强力撞击材料制备方法，该方法为：将Si111基底材料板置于样品台上，利用真空泵使得真空腔内的气压降低至10‑‑77Pa级别；关闭真空阀和真空泵后注入醇类气体，使Si111基底材料板饱和吸附；打开真空泵将多余醇类气体排出，对Si111基底材料板进行中低温复合加热。Si‑H基底材料板被钻头形成微小孔隙，由电热丝穿插连接，作为防强力撞击系统的中间层；表层与中间层分别为不锈钢防护板：表层底部镀有Zn材料薄膜材料，底层设有电池，为弹射装置和电热丝供电。当探测感知到有强力撞击来临时，电池供电电热丝提前对Si‑H基底材料板进行加热，散发出H+并与Zn发生化学反应形成H22。一旦有强力撞击表层不锈钢板，撞击产生的火花将引爆H22，同时弹射装置将启动。

本发明授权一种防强力撞击材料制备方法在权利要求书中公布了：1.一种防强力撞击材料的制备方法，其特征在于，所述防强力撞击材料为Si-H基底材料板，所述Si-H基底材料板的制备基于以下装置实现，所述装置包括真空腔、Si111基底材料板、电热丝网和质谱仪；所述的真空腔包括上腔体和下腔体两部分，通过针型阀可分别向下腔体内注入醇类气体与惰性气体，以实现主体Si-H基底材料板的制备；所述的Si111基底材料板位于下腔体内，用于与醇类气体反应生成醇类离子与H+离子； 所述电热丝网铺设于下腔体内；所述下腔体内还设置有样品台；外部电源通过2根导线与电热丝网和样品台分别连接；所述下腔体与上腔体之间设有真空阀，所述下腔体连接有真空泵，所述质谱仪与上腔体相连，用于检测真空腔内的H+浓度； 所述Si-H基底材料板的制备方法如下： 将Si111基底材料板置于样品台上，利用所述真空泵使得真空腔内的气压降低至10-7Pa级别；关闭真空阀和真空泵后注入醇类气体，使得Si111基底材料板饱和吸附；打开真空泵将多余的醇类气体排出，对Si111基底材料板进行中低温复合加热；低温加热的温度为低于60℃，中温加热的温度为300-400℃；对样品进行中低温复合加热的方法具体为： 首先，采用低温加热方法，打开真空阀，外部电源通过电热丝网对Si111基底材料板进行低温加热；大量的H+离子、少量的醇类离子脱离Si111基底；真空腔内受热气压升高同时自下导入惰性气体，使得H+以更高概率上浮至上腔体；质谱仪检测到上腔体内H+浓度不再增加，关闭真空阀； 然后，重新注入醇类气体，使得H+重新吸附于Si111基底材料板上；重复上述低温加热方法，直到质谱仪检测到上腔体存储足够浓度的H+离子； 最后，采用中温加热方法，外部电源通过导线直接对样品台进行微电流加热，使得吸附离子全部脱离吸附，同时打开真空泵，将下腔体中游离的离子清除；之后，关闭真空泵、打开真空阀，使得上腔体的H+饱和吸附到Si111基底材料板上，即可得到所述Si-H基底材料板。

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