桂林电子科技大学刘厚权获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利一种全光纤圆艾里光产生器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116449577B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310513489.1,技术领域涉及:G02B27/09;该发明授权一种全光纤圆艾里光产生器件是由刘厚权;徐建康;苑立波设计研发完成,并于2023-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种全光纤圆艾里光产生器件在说明书摘要公布了:本发明提供的是一种全光纤圆艾里光产生器件。其特征是:它由单模光纤1、多模光纤2、金属薄膜3、环形凹槽等离子天线阵列4组成。所述多模光纤2熔接在所述单模光纤1上,起对单模光纤纤芯中的传输光场扩束的作用。所述金属薄膜3镀在所述多模光纤2的端面。所述环形凹槽等离子天线阵列4刻蚀在所述金属薄膜3上。经过多模光纤2扩束的传输光场照射在环形凹槽等离子天线阵列4上能够激发等离子体波,该等离子体波随后再通过环形凹槽等离子天线阵列4辐射输出,形成光纤端输出光场。所述环形凹槽等离子天线阵列4的凹槽尺寸参数、凹槽数量以及排布方式依据光纤端输出光场为圆艾里光来设计。本发明属于光纤微结构器件技术领域。
本发明授权一种全光纤圆艾里光产生器件在权利要求书中公布了:1.一种全光纤圆艾里光产生器件,包括单模光纤1、多模光纤2和金属薄膜3,其特征在于,还包括刻蚀在所述金属薄膜3上的环形凹槽等离子天线阵列4;所述多模光纤2熔接在所述单模光纤1上,起对单模光纤1纤芯中的传输光场扩束的作用;所述金属薄膜3镀在所述多模光纤2的端面;所述环形凹槽等离子天线阵列4刻蚀在所述金属薄膜3上;经过多模光纤2扩束的传输光场照射在环形凹槽等离子天线阵列4上能够激发等离子体波,该等离子体波随后再通过环形凹槽等离子天线阵列4辐射输出,形成光纤端输出光场;所述环形凹槽等离子天线阵列4中同心圆环形凹槽的位置是根据所需的无衍射圆艾里光的纤端相位分布设计的,是通过求解以下公式确定的所述同心圆环形凹槽的位置rn:其中φ0为初始相位,kspp是金膜表面SPPs的波矢量,r0是圆环形狭缝距光纤中心的距离,n代表第n个同心圆环形凹槽,x0为圆艾里光相位中的参数,所述同心圆环形凹槽的宽度和深度是根据所需的无衍射圆艾里光的纤端振幅分布设计的,使得产生的光纤端输出光场为圆艾里光。
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