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龙图腾网获悉合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116416887B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111674384.1，技术领域涉及：G09G3/20；该发明授权一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置是由谢勇贤;邹志翔;曲峰;唐川江;杨通;马小叶;吕凤珍;张然设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置，涉及显示技术领域。本公开中，可以根据移位寄存器单元中的氧化物薄膜晶体管所需的沟道总宽度和沟道长度，将氧化物薄膜晶体管的氧化物半导体层分区，划分出的各个独立的半导体分支的宽度之和等于所需的沟道总宽度。如此，一个氧化物薄膜晶体管可以通过一个或多个半导体分支实现所需的沟道总宽度，保证氧化物薄膜晶体管的正常工作，从而可以通过对不同的氧化物薄膜晶体管进行不同的氧化物半导体层设计，实现缩小显示装置边框的目的。同时，较小尺寸的半导体分支，以及半导体分支之间的空隙还可以用于散热，从而避免了氧化物半导体的热量积累而导致的氧化物薄膜晶体管失效。

本发明授权一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种移位寄存器单元，位于显示面板的衬底上，位于非显示区域，包括多个氧化物薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层以及与所述氧化物半导体层连接的且间隔设置的源极和漏极，其特征在于， 至少部分所述氧化物薄膜晶体管的所述源极、漏极分别为具有多个分支；其中，所述源极包括多个沿第一方向延伸的源极分支，以及所述漏极包括多个沿所述第一方向延伸的漏极分支；所述源极分支和漏极分支相向设置并在第二方向上依次交叉排列； 所述氧化物半导体层至少具有一个或多个间隔且平行分布的半导体分支，各半导体分支分别在垂直于所述漏极延伸方向的第二方向延伸并与所述各源极分支和漏极分支交叠且电连接，与任意相邻的源极分支和漏极分支交叠的半导体分支的宽度为在所述第一方向上半导体分支的一端到另一端的距离W； 其中，至少部分所述氧化物薄膜晶体管为多个氧化物薄膜晶体管，属于不同的氧化物薄膜晶体管的所述半导体分支的宽度不完全相同； 所述至少部分所述氧化物薄膜晶体管，半导体分支的宽度W不小于3μm，不大于60μm； 所述移位寄存器单元包括下拉控制电路，所述下拉控制电路包括：位于下拉节点和高电平参考电压端之间的第一氧化物薄膜晶体管，以及位于所述下拉节点和低电平参考电压端之间的第二氧化物薄膜晶体管； 每个氧化物薄膜晶体管满足如下公式：W总=D沟道总数*W； W为一个半导体分支的宽度，D沟道总数为一个氧化物薄膜晶体管中各源极分支和相邻的漏极分支之间的半导体分支的沟道的数量的和；W总为沟道的总宽度； 所述第一氧化物薄膜晶体管的W总和与所述第二氧化物薄膜晶体管的W总的比值在0.05~0.17之间。

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