长鑫存储技术有限公司沈宇桐获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344602B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111602363.9，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权半导体结构及其形成方法是由沈宇桐设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底和位于所述衬底上的栅叠层结构；其中，所述栅叠层结构包括：高K介质层；与所述高K介质层接触的第一阻挡层；位于所述高K介质层远离所述衬底一侧的功函数层；位于所述功函数层远离衬底一侧的栅电极层；其中，所述第一阻挡层包含与高K介质层的相同的金属元素。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底上的栅叠层结构；其中，所述栅叠层结构包括： 高K介质层； 位于所述高K介质层靠近所述衬底的一侧，且与所述高K介质层接触的第一阻挡层； 位于所述高K介质层远离所述衬底的一侧，且与所述高K介质层相接触的第二阻挡层； 位于所述高K介质层远离所述衬底一侧的功函数层； 位于所述功函数层远离衬底一侧的栅电极层； 其中，所述第一阻挡层包含与高K介质层的相同的金属元素，所述第一阻挡层包括氧化镧铪层，所述第二阻挡层包括氧化镧铪层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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