豪威科技股份有限公司渡边一史获国家专利权
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龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利用于图像传感器的有源像素区及黑色像素区的多层金属堆叠及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210990966.9，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权用于图像传感器的有源像素区及黑色像素区的多层金属堆叠及其方法是由渡边一史;熊志伟;牛超设计研发完成，并于2022-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于图像传感器的有源像素区及黑色像素区的多层金属堆叠及其方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及用于图像传感器的有源像素区及黑色像素区的多层金属堆叠及其方法。一种图像传感器包含有源像素光电二极管、黑色像素光电二极管、金属网格结构及遮光罩。所述有源像素光电二极管及所述黑色像素光电二极管中的每一者安置于具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧的半导体材料中。所述半导体材料的所述第一侧安置于所述遮光罩与所述黑色像素光电二极管之间。所述金属网格结构包含第一多层金属堆叠，其包含第一金属及不同于所述第一金属的第二金属。所述遮光罩包含第二多层堆叠，其包含所述第一金属及所述第二金属。所述第一多层金属堆叠的第一厚度小于所述第二多层金属堆叠的第二厚度。
本发明授权用于图像传感器的有源像素区及黑色像素区的多层金属堆叠及其方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其包括： 有源像素光电二极管及黑色像素光电二极管，其各自安置于半导体材料中，其中所述半导体材料包含第一侧及与所述第一侧相对的第二侧； 金属网格结构，其接近所述半导体材料的所述第一侧安置，所述金属网格结构包含与所述有源像素光电二极管光学对准的孔径，其中所述金属网格结构包含第一多层金属堆叠，所述第一多层金属堆叠包含第一金属及不同于所述第一金属的第二金属； 遮光罩，其与所述黑色像素光电二极管光学对准，使得所述半导体材料的所述第一侧安置于所述遮光罩与所述黑色像素光电二极管之间，其中所述遮光罩包含第二多层金属堆叠，所述第二多层金属堆叠包含所述第一金属及所述第二金属，且其中所述第一多层金属堆叠的第一厚度小于所述第二多层金属堆叠的第二厚度。
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