西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院张金风获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种改善晶格失配的硼铝氮/金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310027177.X，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权一种改善晶格失配的硼铝氮/金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法是由张金风;杨智清;苏凯;何琦;任泽阳;张进成;郝跃设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善晶格失配的硼铝氮/金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善晶格失配的硼铝氮氮终端金刚石二维电子气异质结结构的制备方法，包括以下步骤：获取111面单晶硅衬底；在111面单晶硅衬底上外延生长单晶氮化硼过渡层；在单晶氮化硼过渡层表面生长金刚石外延层；对金刚石外延层表面进行氮终端处理，形成氮终端表面；在氮终端表面上外延生长具有施主杂质掺杂的Al面极性纤维锌矿结构的单晶硼铝氮，形成硼铝氮外延层，以形成硼铝氮氮终端金刚石二维电子气异质结。本发明的制备方法突破了高质量金刚石衬底的尺寸限制，有效缓解了金刚石上硼铝氮在外延过程中的晶格畸变，减少形成的异质结界面处的表面态与悬挂键，提高了金刚石异质结的质量。
本发明授权一种改善晶格失配的硼铝氮/金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善晶格失配的硼铝氮金刚石二维电子气异质结结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取111面单晶硅衬底； 在所述111面单晶硅衬底上外延生长单晶氮化硼过渡层；所述单晶氮化硼包括：111立方氮化硼、六方氮化硼或者硼面极性的纤维锌矿氮化硼； 在所述单晶氮化硼过渡层表面生长金刚石外延层； 对所述金刚石外延层表面进行氮终端处理，形成氮终端表面； 在所述氮终端表面上外延生长具有施主杂质掺杂的Al面极性纤维锌矿结构的单晶硼铝氮，形成硼铝氮外延层，以形成硼铝氮氮终端金刚石二维电子气异质结；其中，在硼铝氮生长过程中，通过调控硼源与铝源的比值控制硼铝氮外延层中的硼与铝的组分。
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