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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种构建半导体光电极可通用和循环利用的各向同性热解石墨导电集流体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310223148.0，技术领域涉及：C23C28/04；该发明授权一种构建半导体光电极可通用和循环利用的各向同性热解石墨导电集流体的方法是由刘岗;徐伟;甄超;白朔;成会明设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种构建半导体光电极可通用和循环利用的各向同性热解石墨导电集流体的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电催化领域，具体为一种构建半导体光电极可通用和循环利用的各向同性热解石墨导电集流体的方法。以各向同性热解石墨为导电基体，利用其高功函、高电导率、抗腐蚀、耐高温等优点，可采用各种合成方法在其表面生长不同种类的半导体薄膜作为光电极。此外，可通过机械剥离等手段去除掉基体上生长的半导体薄膜，将各向同性热解石墨基体进行回收和再利用，重新用于生长半导体薄膜光电极，并可在各种溶液下进行光电极的光电化学性能测试，而各向同性热解石墨导电集流体依然保持稳定。本发明解决了光电极传统用的导电基体不耐高温、还原气氛等问题，以及金属基在高温还原性气氛中容易发生氢脆的问题，同时各向同性热解石墨基体可重复利用。

本发明授权一种构建半导体光电极可通用和循环利用的各向同性热解石墨导电集流体的方法在权利要求书中公布了：1.一种构建半导体光电极可通用和循环利用的各向同性热解石墨导电集流体的方法，其特征在于，以各向同性热解石墨为导电基体，利用其高功函、高电导率、抗腐蚀、耐高温的特点，采用各种合成方法在其表面生长不同种类的半导体薄膜作为光电极；此外，去除掉基体上生长的半导体薄膜后，将各向同性热解石墨基体进行回收和再利用，重新用于生长半导体薄膜光电极，并在各种溶液下进行光电极的光电化学性能测试，而各向同性热解石墨导电集流体依然保持稳定； 各向同性热解石墨的性能参数如下：功函数≥4.9eV，室温下电阻系数为3.72±0.64×10-5Ω·m，抗压强度≥180MPa，开口气孔率≤0.3％，密度≥1.8×103kgm3，工作温度≤1500℃； 在各向同性热解石墨表面生长的半导体薄膜种类包括：金属氧化物、金属氮化物、金属硼化物、以及金属氧氮化合物或金属氧硫化合物，半导体薄膜的厚度为1nm～20μm； 将各向同性热解石墨基体回收后，再次生长半导体薄膜，所得半导体薄膜光电极的性能保持不变。

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