苏州能讯高能半导体有限公司张晖获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264243B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111538232.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件是由张晖;李仕强设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，该外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的多层外延层，多层外延层包括远离衬底一侧的帽层，其中，帽层的厚度D与衬底的直径d之间正相关。本发明实施例提供的外延结构通过设置帽层，并且帽层的厚度根据衬底的尺寸进行调整，使得外延结构可以适应在不同尺寸衬底上生长时受到的应力，进而提升半导体器件性能的一致性和稳定性。
本发明授权一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的外延结构，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底一侧的多层外延层， 多层所述外延层包括远离所述衬底一侧的帽层，其中， 所述帽层的厚度D与所述衬底的直径d之间正相关； 所述帽层包括GaN层； 所述帽层的厚度D与所述衬底的直径d之间满足d5D2d，其中，D的单位为nm，d的单位为英寸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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