华润微电子(重庆)有限公司吴建忠获国家专利权
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龙图腾网获悉华润微电子(重庆)有限公司申请的专利IGBT结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111530289.4，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权IGBT结构及其制备方法是由吴建忠;黄文康;王欢设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本IGBT结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种IGBT结构及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供一个底层结构；在层间介质层上光刻形成第一光刻胶图形层，进行刻蚀以形成接触孔；去除第一光刻胶图形层，并依次形成保护层；在保护层的上方沉积耐压介质材料层并光刻形成第二光刻胶图形层；对耐压介质材料层进行刻蚀，以形成耐压介质结构；去除第二光刻胶图形层和保护层，以暴露出有源区或多晶硅层，耐压介质结构的下方仍保留部分保护层；沉积金属连接层，并形成钝化层以保护金属连接层。本发明通过调整接触孔和耐压介质结构的形成顺序，消除了耐压介质结构引发的晶圆翘曲对于接触孔形成工艺的不良影响；通过引入保护层，避免了形成耐压介质结构的过程影响接触孔结构。
本发明授权IGBT结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1提供一个底层结构，所述底层结构包含：形成有源区的衬底、多晶硅层以及层间介质层； 2在所述层间介质层上光刻形成第一光刻胶图形层；以所述第一光刻胶图形层作为刻蚀掩膜对所述层间介质层进行刻蚀并对所述底层结构进行刻蚀，以形成接触孔； 3去除所述第一光刻胶图形层，并依次在所述接触孔的侧壁和底部以及所述层间介质层表面形成保护层； 4在所述保护层的上方沉积耐压介质材料层并在所述耐压介质材料层上光刻形成第二光刻胶图形层；以所述第二光刻胶图形层作为刻蚀掩膜对所述耐压介质材料层进行刻蚀，以形成耐压介质结构； 5去除所述第二光刻胶图形层和所述保护层，以暴露出所述接触孔底部的所述有源区或所述多晶硅层，所述耐压介质结构的下方仍保留部分所述保护层； 6在所述接触孔及所述层间介质层表面沉积金属连接层，并在所述金属连接层表面形成钝化层，以保护所述金属连接层。
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