买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉新唐科技股份有限公司申请的专利沟槽式晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210137194.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权沟槽式晶体管及其制造方法是由陈柏安设计研发完成，并于2022-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽式晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种沟槽式晶体管及其制造方法。所述沟槽式晶体管的制造方法包括以下步骤。于衬底中形成沟槽。于沟槽的侧壁与底面上形成第一绝缘层。于沟槽中的第一绝缘层上形成第一导电层，其中孔洞或孔隙形成于部分第一导电层中。移除部分第一导电层，以去除孔洞或孔隙。于沟槽中的第一导电层上及位于所述沟槽的侧壁上的所述第一绝缘层上形成保护层。移除保护层与沟槽的侧壁之间的至少部分第一绝缘层。于沟槽的暴露出的侧壁上形成第二绝缘层。移除保护层。于第一导电层上形成第二导电层。移除第二导电层上方的第二绝缘层。于第二导电层上以及沟槽的侧壁上形成第三绝缘层。于第三绝缘层上形成第三导电层。于第三导电层周围的衬底中形成第一掺杂区。

本发明授权沟槽式晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽式晶体管的制造方法，其特征在于，包括： 于衬底中形成沟槽； 于所述沟槽的侧壁与底面上形成第一绝缘层； 于所述沟槽中的所述第一绝缘层上形成第一导电层，其中孔洞或孔隙形成于部分所述第一导电层中； 移除部分所述第一导电层，以去除所述孔洞或孔隙； 于所述沟槽中的所述第一导电层上及位于所述沟槽的侧壁上的所述第一绝缘层上形成保护层； 移除所述保护层与所述沟槽的侧壁之间的至少部分所述第一绝缘层； 于所述沟槽的暴露出的所述侧壁上形成第二绝缘层； 移除所述保护层； 于所述第一导电层上形成第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层构成沟槽式晶体管的第一电极，其中所述第一电极包括第一部分与位于所述第一部分上的第二部分，且所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度； 移除所述第二导电层上方的所述第二绝缘层； 于所述第二导电层上以及所述沟槽的侧壁上形成第三绝缘层； 于所述第三绝缘层上形成第三导电层；以及 于所述第三导电层周围的所述衬底中形成第一掺杂区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新唐科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。