力晶积成电子制造股份有限公司蔡佳宏获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利动态随机存取存储器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116193849B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111644536.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权动态随机存取存储器结构是由蔡佳宏设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本动态随机存取存储器结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种动态随机存取存储器结构，包括至少一个存储单元。存储单元包括基底、栅极结构、第一电容器、第一位线结构、第二电容器与第二位线结构。基底具有相对的第一面与第二面。栅极结构贯穿基底。第一电容器位于基底的第一面上。第一位线结构位于基底的第二面上。第二电容器位于基底的第二面上。第二位线结构位于基底的第一面上。
本发明授权动态随机存取存储器结构在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器结构，包括至少一个存储单元，其中所述存储单元包括： 基底，具有相对的第一面与第二面； 栅极结构，贯穿所述基底； 第一电容器，位于所述基底的所述第一面上； 第一位线结构，位于所述基底的所述第二面上； 第二电容器，位于所述基底的所述第二面上；以及 第二位线结构，位于所述基底的所述第一面上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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