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龙图腾网获悉杭州傲芯科技有限公司申请的专利基于类二极管可控硅的静电保护器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153925B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211699057.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权基于类二极管可控硅的静电保护器件是由赖大伟;王迪;邹池佳;郑飞君设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于类二极管可控硅的静电保护器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于类可控硅二极管的静电保护器件，包括：半导体基板；深埋层隔离区，嵌埋至所述半导体基板中；第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区和第二P型掺杂区，依次设置在所述深埋层隔离区上；多个浅沟槽隔离区，依次设置在第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区和第二P型掺杂区的各交界面的上半部分，将这四个区域在表层隔离；在第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区和第二P型掺杂区上，从左至右依次设置有第三N型掺杂区，第三P型掺杂区，第四P型掺杂区，第四N型掺杂区；接地端，通过第五P型掺杂区与半导体基板电连接；输入端，通过第四P型掺杂区与半导体基板电连接；输出端。

本发明授权基于类二极管可控硅的静电保护器件在权利要求书中公布了：1.一种基于类可控硅二极管的静电保护器件，其特征在于，包括： 半导体基板P-sub； 深埋层隔离区DNW，嵌埋至所述半导体基板P-sub中； 第一N型掺杂区NW、第一P型掺杂区PW、第二N型掺杂区NW和第二P型掺杂区PW，依次设置在所述深埋层隔离区DNW上； 多个浅沟槽隔离区STI，依次设置在第一N型掺杂区NW、第一P型掺杂区PW、第二N型掺杂区NW和第二P型掺杂区PW的各交界面的上半部分，将这四个区域在表层隔离； 在第一N型掺杂区NW上设置有第三N型掺杂区N、第一P型掺杂区PW上设置有第三P型掺杂区P、第二N型掺杂区NW上设置有第四P型掺杂区P以及第二P型掺杂区PW上设置有第四N型掺杂区N； 接地端GND，通过第五P型掺杂区P与半导体基板电连接； 输入端Vin，通过第四P型掺杂区P与半导体基板电连接； 输出端Vout，通过第三N型掺杂区N与半导体基板电连接； 类二极管可控硅结构DL-SCR由第四P型掺杂区P第二N型掺杂区NW第二P型掺杂区PW第四N型掺杂区N内部相连组成，第四P型掺杂区P第二N型掺杂区NW上方为输入端Vin，第四N型掺杂区N第二P型掺杂区PW上方为输出端Vout。

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