力晶积成电子制造股份有限公司牛培伦获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111170333.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体装置及其制造方法是由牛培伦设计研发完成，并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基底、隔离结构、多个位线结构、多个字线结构、多个位线接触件以及多个接垫。基底包括胞元区和周边区。隔离结构设置于基底的胞元区中以界定多个主动区。位线结构彼此平行地设置在基底中，且各自在第一水平方向上延伸并跨过多个主动区。字线结构彼此平行地设置在基底上，且各自在第二水平方向上延伸。位线接触件设置在基底上以及所述字线结构之间，其中位线接触件的顶表面低于字线结构的顶表面。接垫设置在所述位线接触件的顶表面上且与位线接触件电连接。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 基底，包括胞元区和周边区； 隔离结构，设置于所述基底的所述胞元区中以界定多个主动区，其中多个所述主动区中的每一者在长轴方向延伸，所述长轴方向是相对于第一水平方向和第二水平方向的对角方向，所述第一水平方向垂直于所述第二水平方向； 多个位线结构，彼此平行地设置在所述基底中，且各自在所述第一水平方向上延伸并跨过多个所述主动区； 多个字线结构，彼此平行地设置在所述基底上，且各自在所述第二水平方向上延伸； 多个位线接触件，设置在所述基底上以及多个所述字线结构之间，其中所述位线接触件的顶表面低于所述字线结构的顶表面；以及 多个接垫，分别设置在多个所述位线接触件的所述顶表面上且与所述位线接触件电连接。
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