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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种无片外电容的LDO获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116126069B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211708736.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种无片外电容的LDO是由张加宏;王泽林;李大林;刘祖韬;李敏;王程;杨帆设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无片外电容的LDO在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无片外电容的LDO，属于线性电源技术领域，包括跨导恒定电路Gmc、恒跨导误差放大器AE1、第一输出电路、误差放大器AE2、第二输出电路、带隙基准电路BGR、功率管Pn1和功率管Pn2；所述跨导恒定电路Gmc用于产生偏置电压信号；所述恒跨导误差放大器AE1用于产生第一输出信号；所述误差放大器AE2用于产生第二输出信号；带隙基准电路BGR产生多路独立稳定输出，为恒跨导误差放大器AE1和误差放大器AE2提供稳定的参考电压，再通过跨导恒定电路Gmc产生偏置电压，恒跨导误差放大器AE1通过第一输出电路驱动功率管Pn1输出针对模拟负载的信号，误差放大器AE2通过第二输出电路驱动功率管PN2输出针对数字负载的信号。

本发明授权一种无片外电容的LDO在权利要求书中公布了：1.一种无片外电容的LDO，其特征在于，包括跨导恒定电路Gmc、恒跨导误差放大器AE1、第一输出电路、误差放大器AE2、第二输出电路、带隙基准电路BGR、功率管Pn1和功率管Pn2； 所述跨导恒定电路Gmc用于产生偏置电压信号；所述跨导恒定电路Gmc分别与恒跨导误差放大器AE1、误差放大器AE2相连； 所述带隙基准电路BGR、恒跨导误差放大器AE1、第一输出电路和功率管Pn1依次连接； 所述带隙基准电路BGR、误差放大器AE2、第二输出电路和功率管Pn2依次连接； 所述带隙基准电路BGR用于产生多路独立输出，为恒跨导误差放大器AE1、误差放大器AE2提供参考电压；所述恒跨导误差放大器AE1用于产生第一输出信号，第一输出信号经过第一输出电路传输，驱动功率管Pn1； 所述误差放大器AE2用于产生第二输出信号，第二输出信号经过第二输出电路传输，驱动功率管Pn2； 所述第一输出电路包括SUM电路、辅助运放AUX和模拟负载缓冲器Buffer1；所述SUM电路分别与恒跨导误差放大器AE1、辅助运放AUX相连，所述模拟负载缓冲器Buffer1分别与SUM电路、功率管Pn1相连；所述SUM电路用于将辅助运放AUX的信号和恒跨导误差放大器AE1产生的信号进行求和并输出至模拟负载缓冲器Buffer1； 所述第二输出电路包括数字负载缓冲器Buffer2；所述数字负载缓冲器Buffer2包括PMOS管P24、PMOS管P25、NMOS管N27和NMOS管N28；所述PMOS管P24的源极接输入信号Vin，所述功率管Pn2的漏极接输入信号Vin；所述PMOS管P24的栅极接入偏置信号Pb1，所述PMOS管P24的漏极与NMOS管N27漏极、功率管Pn2的栅极相连；所述NMOS管N27的源极与NMOS管N28的漏极、PMOS管P25的漏极相连；所述N27的栅极与NMOS管N28的栅极接入偏置信号Nb1；所述NMOS管N28的漏极接地；所述PMOS管P25的栅极接误差放大器AE2的输出信号EA_1；所述PMOS管P25的源极与功率管Pn2的源极相连，作为输出信号VoutD。

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