浙江大学杭州国际科创中心盛况获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利倾斜超级结结构及其制造方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116092917B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211561442.4，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权倾斜超级结结构及其制造方法、半导体器件是由盛况;程浩远;王珩宇;任娜设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本倾斜超级结结构及其制造方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本公开涉及倾斜超级结结构及其制造方法、半导体器件。该方法包括：形成多个掺杂层，多个掺杂层沿第一方向依次堆叠，多个掺杂层均具有第一掺杂类型，多个掺杂层的掺杂浓度依次增大；形成延伸入多个掺杂层的超级结沟槽并基于多个掺杂层得到第一柱区，其中，超级结沟槽的侧壁相对于第一方向倾斜，第一柱区包括沿第一方向依次堆叠的多个第一掺杂部；以及形成填充超级结沟槽的第二柱区，第二柱区具有第二掺杂类型。该方法可以实现性能有保障的倾斜超级结结构。
本发明授权倾斜超级结结构及其制造方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.用于制造倾斜超级结结构的方法，其特征在于，包括： 形成沿第一方向延伸入外延层的超级结沟槽，其中，所述外延层的厚度沿所述第一方向，所述超级结沟槽的侧壁相对于所述第一方向倾斜，所述外延层具有电子型掺杂；及 形成沿所述第一方向依次堆叠的多个掺杂部，所述多个掺杂部填充所述超级结沟槽，其中，根据所述超级结沟槽的侧壁斜度控制所述掺杂部的原位掺杂浓度，所述掺杂部具有空穴型掺杂，所述多个掺杂部的掺杂浓度依次减小，所述掺杂部的电荷量与所述外延层中对应部分的电荷量平衡。
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