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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利高阈值电压稳定性和低栅漏电的GaN HEMT器件结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072701B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211598067.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权高阈值电压稳定性和低栅漏电的GaN HEMT器件结构及制备方法是由陈大正;穆昌根;张春福;赵胜雷;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本高阈值电压稳定性和低栅漏电的GaN HEMT器件结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高阈值电压稳定性和低栅漏电的GaNHEMT器件结构及制备方法，GaNHEMT器件结构包括：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、钝化层、纯p型SnO层、原子掺杂的SnO基薄膜层和栅极，其中，衬底、缓冲层、沟道层、势垒层依次层叠；源极位于势垒层的一端，漏极位于势垒层的另一端；纯p型SnO层位于源极和漏极之间的部分势垒层上；原子掺杂的SnO基薄膜层覆盖纯p型SnO层的上表面；栅极位于原子掺杂的SnO基薄膜层的部分表面上；钝化层覆盖纯p型SnO层和源极之间的势垒层表面、纯p型SnO层和漏极之间的势垒层表面，且覆盖原子掺杂的SnO基薄膜层的部分表面。本发明实施例总体上改善了纯p型SnOGaNHEMT的栅耐压及栅漏电。

本发明授权高阈值电压稳定性和低栅漏电的GaN HEMT器件结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高阈值电压稳定性和低栅漏电的GaNHEMT器件结构，其特征在于，包括：衬底1、缓冲层2、沟道层3、势垒层4、源极5、漏极6、钝化层7、纯p型SnO层8、原子掺杂的SnO基薄膜层9和栅极10，其中， 所述衬底1、所述缓冲层2、所述沟道层3、所述势垒层4依次层叠； 所述源极5位于所述势垒层4的一端，所述漏极6位于所述势垒层4的另一端； 所述纯p型SnO层8位于所述源极5和所述漏极6之间的部分所述势垒层4上； 所述原子掺杂的SnO基薄膜层9覆盖所述纯p型SnO层8的上表面；所述原子掺杂的SnO基薄膜层9为低p型浓度的薄膜，其p型浓度小于纯p型SnO层8的p型浓度；所述原子掺杂的SnO基薄膜层9的材料包括CaxSn1-xO、MgxSn1-xO、InxSn1-xO中的一种或多种，x为0.1-0.3；所述原子掺杂的SnO基薄膜层9中原子掺杂的浓度为7×1017-9×1019cm-3； 所述栅极10位于所述原子掺杂的SnO基薄膜层9的部分表面上； 所述钝化层7覆盖所述纯p型SnO层8和所述源极5之间的势垒层4表面、所述纯p型SnO层8和所述漏极6之间的势垒层4表面，且覆盖所述原子掺杂的SnO基薄膜层9的部分表面。

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