上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司卢珂获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利一种集成电路晶片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053190B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211710673.7，技术领域涉及：H10W29/00；该发明授权一种集成电路晶片及其制造方法是由卢珂;柳会雄设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成电路晶片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶片制造领域，特别是涉及一种集成电路晶片及其制造方法，通过在硅片基底的正面进行有源区光刻洗边；设置栅极光刻的图形掩膜层并洗边，得到栅极光刻前置物；在所述栅极光刻前置物的正面设置栅极光刻层并洗边；所述栅极光刻层的洗边边缘位于所述图形掩膜层的洗边边缘及所述有源区的洗边边缘之间；对设置过所述栅极光刻层的栅极光刻前置物进行光刻及刻蚀，得到晶片前驱体；沉积填充复合层；对所述填充复合层进行平坦化抛光；刻蚀去除所述伪多晶硅栅并在所述晶片前驱体的正面设置金属栅，得到所述集成电路晶片。本发明实现了低成本与低金属的晶边残留的兼顾。
本发明授权一种集成电路晶片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路晶片的制造方法，其特征在于，包括： 在硅片基底的正面进行有源区光刻，并对所述有源区洗边； 在有源区表面设置栅极光刻的图形掩膜层，并对所述图形掩膜层洗边，得到栅极光刻前置物； 在所述栅极光刻前置物的正面设置栅极光刻层，并对所述栅极光刻层洗边；所述栅极光刻层的洗边边缘位于所述图形掩膜层的洗边边缘及所述有源区的洗边边缘之间； 对设置过所述栅极光刻层的栅极光刻前置物进行光刻及刻蚀，在所述栅极光刻前置物的正面得到图形化的伪多晶硅栅，得到晶片前驱体； 在所述晶片前驱体的正面沉积填充复合层；所述填充复合层包括填充介质层及停止层； 对所述填充复合层进行平坦化抛光，暴露所述伪多晶硅栅； 刻蚀去除所述伪多晶硅栅并在所述晶片前驱体的正面设置金属栅，得到所述集成电路晶片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，其通讯地址为：201807 上海市嘉定区娄陆公路497号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励