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天合光能股份有限公司陈奕峰获国家专利权

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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利一种太阳电池获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116033764B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211188919.9,技术领域涉及:H10K30/50;该发明授权一种太阳电池是由陈奕峰;夏锐;马骏;高纪凡设计研发完成,并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

一种太阳电池在说明书摘要公布了:本发明涉及一种太阳电池,所述太阳电池的结构包括光活性层,所述光活性层为钙钛矿光活性层,所述光活性层底部设置有至少一个p型区域和至少一个n型区域,所述p型区域和所述n型区域间隔设置,所述p型区域和所述n型区域的下方分别独立地设置有电极。本发明中将钙钛矿太阳电池结构中的电荷传输层放置在钙钛矿层的同一侧,可在钙钛矿层另外一侧沉积减反膜,从而能更充分的提升光活性层的光吸收,提高器件的短路电流密度,进而提高能量转换效率。

本发明授权一种太阳电池在权利要求书中公布了:1.一种太阳电池,其特征在于,所述太阳电池的结构包括光活性层; 所述光活性层为钙钛矿光活性层; 所述光活性层底部设置有至少一个p型区域和至少一个n型区域,所述p型区域和所述n型区域间隔设置,所述p型区域和所述n型区域的下方分别独立地设置有电极; 所述n型区域与电极之间还设置有至少一个活性层时,所述活性层包括从上到下依次连接的中间层、第二p型区域、硅材料层和第二n型区域; 所述p型区域与电极之间还设置有至少一个活性层时,所述活性层包括从上到下依次连接的中间层、第二n型区域、硅材料层和第二p型区域; 所述第二p型区域包括至少一个第二p型层;所述第二n型区域包括至少一个第二n型层; 所述第二p型层的材料包括P型单晶硅、P型多晶硅或P型非晶硅中任意一种或至少两种的组合; 所述硅材料层包括n型多晶硅、i型多晶硅、p型多晶硅中的任意一种或至少两种的组合; 所述第二n型层的材料包括n型单晶硅、n型多晶硅或n型非晶硅中任意一种或至少两种的组合。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人天合光能股份有限公司,其通讯地址为:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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