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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于移相半桥零电压开关的电离脉冲产生装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116032255B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211589021.2，技术领域涉及：H03K3/57；该发明授权一种基于移相半桥零电压开关的电离脉冲产生装置是由师奕兵;陶聪;张伟;李焱骏;马一峰;刘汉文设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于移相半桥零电压开关的电离脉冲产生装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于移相半桥零电压开关的电离脉冲产生装置，包括变压器隔离电路、驱动与自举电路、主开关电路、串联谐振电路，控制信号输入到变压器隔离电路，经变压器隔离后输出到驱动与自举电路，驱动与自举电路根据隔离后的控制信号对主开关电路中的开关管进行驱动与自举，从而将高压直流信号整形为脉冲信号，另外，主开关电路中MOS管的并联电容与串联谐振电路构成谐振回路，通过不断的充放电过程，使主开关电路中各MOS管在导通与关断前的漏源电压降为0，完成零电压开关。

本发明授权一种基于移相半桥零电压开关的电离脉冲产生装置在权利要求书中公布了：1.一种基于移相半桥零电压开关的电离脉冲产生装置，其特征在于，包括： 一变压器隔离电路，包括两个变压器和四个限流电阻；其中每个变压器的结构都为一个初级、三个次级，用于电气隔离，防止各电压信号之间的相互干扰；限流电阻分别串联在变压器初级两端，用于限制所在回路的电流大小，防止电流过大烧坏器件；四路低压控制信号RSON、RSOFF、LSON、LSOFF由变压器初级输入，经变压器隔离后再由次级输出至驱动与自举电路，实现低压控制信号和主开关电路中直流高压信号HV之间的隔离； 一驱动与自举电路，由12个MOS管组成，每两个MOS管为一组，六组MOS管分别与变压器隔离电路中的六组变压器次级单独连接，形成六条功能完全相同的支路，用于对主开关电路进行驱动与自举； 其中，在每一组MOS管中，第一个MOS管的栅极连接变压器次级的异名端，源极连接变压器次级的同名端，漏极连接第二个MOS管的栅极；第二个MOS管的栅极连接第一个MOS管的漏极，源极连接变压器次级的异名端，漏极连接到主开关电路； 其中，第一条支路对主开关电路进行一个周期的驱动与自举过程为：当RSON为高电平、RSOFF为低电平时，MOS管Q1的栅源级压差Vgs1小于导通电压，所以Q1关断，Q1的源极电压经Q1内部的体二极管施加到漏极，使得MOS管Q2的栅源级压差Vgs2大于导通电压，从而使Q2导通，且Q2的漏极电压为0；此时，在主开关电路中，MOS管Q13的栅源级压差Vgs13大于导通电压，所以Q13导通；当RSON为低电平、RSOFF为高电平时，MOS管Q1的栅源级压差Vgs1大于导通电压，所以Q1导通，且Q1的漏极电压为0；此时MOS管Q2的栅源级压差Vgs2小于导通电压，所以Q2关断，Q2的源极电压经Q2内部的体二极管施加到漏极；此时在主开关电路中，MOS管Q13的栅源级压差Vgs13小于导通电压，所以Q13关断； 同理，其它支路对主开关电路进行一个周期的驱动与自举过程相同； 一主开关电路，包括六组MOS管、二极管和电容；每一个MOS管的栅极和源极分别单独连接驱动与自举电路中每一组MOS管的第二个MOS管的栅极和漏极，每一个MOS管的漏极和源极两端分别并联一个二极管和电容，且相邻两个MOS管间通过源极和漏极连接的方式串联； 第一个MOS管Q13的漏极接外部输入的直流高压信号HV，第六个MOS管Q18的源极接地GND；当Q13、Q14、Q15导通，Q16、Q17、Q18关断时，主开关电路输出直流高压信号HV，当Q13、Q14、Q15关断，Q16、Q17、Q18导通时，主开关电路输出0V的低电平信号；因此通过驱动与自举电路控制主开关电路中各个MOS管的交替导通、关断时间，从而得到相应占空比的脉冲高压信号； 一串联谐振电路，包括电感Lr、电容Cr、整流二极管Dr、变压器Tr和负载RL；电感Lr的一端连接主开关电路的中点，另一端连接变压器Tr的初级同名端；电容Cr的一端连接地，另一端连接变压器Tr的初级异名端；变压器Tr的次级与整流二极管Dr和负载RL串联； 通过控制主开关电路的开关时序，让串联谐振电路中的电感电容工作在谐振状态，并与主开关电路中MOS管的并联电容构成充放电回路，使主开关电路中各MOS管在导通与关断前的漏源电压降为0，完成零电压开关。

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