长鑫存储技术有限公司吴公一获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体测试单元制造方法和位线接触结构电阻测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013795B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111231583.5，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体测试单元制造方法和位线接触结构电阻测试方法是由吴公一;徐亚超设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体测试单元制造方法和位线接触结构电阻测试方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体测试单元制造方法以及位线接触结构电阻测试方法。半导体测试单元制造方法包括：在切割道区域制作多个有源区组，每个有源区组包括沿第一方向排列的多个第一有源区；对有源区组进行一次蚀刻，以形成多个测试有源区，每个测试有源区包括沿第一方向并列连接的两个第二有源区；在多个测试有源区上制作多个位线接触结构，每个位线接触结构连接一个第二有源区；在多个位线接触结构上形成延第三方向平行延伸的多条位线；在连接同一个测试有源区的相邻两条位线上分别制作第一测试点和第二测试点，第一测试点靠近一条位线的第一端，第二测试点靠近另一条位线的第二端。本公开实施例可以准确测试半导体电路中位线接触结构电阻。
本发明授权半导体测试单元制造方法和位线接触结构电阻测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试单元制造方法，其特征在于，包括： 在切割道区域制作多个有源区组，每个所述有源区组包括沿第一方向排列连接的多个第一有源区，所述多个有源区组沿第二方向排列，所述第二方向垂直于所述第一方向； 对所述有源区组进行一次蚀刻，以形成多个测试有源区，每个所述测试有源区包括沿所述第一方向并列连接的两个第二有源区，所述第二有源区为对所述第一有源区在所述第二方向延伸的一个边沿进行蚀刻形成； 在所述多个测试有源区上制作多个位线接触结构，每个所述位线接触结构连接一个所述第二有源区； 在所述多个位线接触结构上形成延第三方向平行延伸的多条位线，所述第三方向与所述第一方向具有第一夹角，每条所述位线具有第一端和第二端； 在连接同一个所述测试有源区的相邻两条所述位线上分别制作第一测试点和第二测试点，所述第一测试点靠近一条所述位线的所述第一端，所述第二测试点靠近另一条所述位线的所述第二端。
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