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龙图腾网获悉中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)申请的专利一种碳化硅非均匀混合P+结构的肖特基结势垒二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985934B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211326589.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅非均匀混合P+结构的肖特基结势垒二极管及其制作方法是由陆超;王海锐;贺晓金;孟繁新;袁强;姚秋原;余文兴;张浩宇;程爽;王博设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅非均匀混合P+结构的肖特基结势垒二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种碳化硅非均匀混合P+结构的肖特基结势垒二极管及其制作方法，包括依次叠层设置的金属化阴极、N+衬底、外延区；多个P+ring区和多个P+区设置在外延区的上层，多个P+区的上端通过金属化阳极覆盖，多个P+ring区的顶部及P+区相邻于P+ring区的部分顶部被氧化硅层覆盖，氧化硅层的上端面覆盖有聚酰亚胺层。本发明通过在器件的P+区采用非均匀混合P+离子注入区结构改善了电流量在器件内的分布，提高器件的抗浪涌能力，在不减小正向导通电阻的前提，减小反向漏电流；在器件正向导通时，使更多的电流通过散热能力较强的器件四周区域，更少的电流通过散热能力较差的中间区域，从而避免热量在散热能力较差的的区域集中而损伤器件。

本发明授权一种碳化硅非均匀混合P+结构的肖特基结势垒二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅非均匀混合P+结构的肖特基结势垒二极管，包括依次叠层设置的金属化阴极8、N+衬底1、外延区2，其特征在于：多个P+ring区3和多个P+区4设置在外延区2的上层，多个P+区4的上端通过金属化阳极5覆盖，多个P+ring区3的顶部及多个P+区4相邻于多个P+ring区3的部分顶部被氧化硅层6覆盖，氧化硅层6的上端面覆盖有聚酰亚胺层7； 所述多个P+区4包括第一条状元胞区41、点状元胞区42、第二条状元胞区43，所述第一条状元胞区41设置在多个P+区4的中心，点状元胞区42设置在多个P+区4的角上，第二条状元胞区43设置在多个P+区4的边缘； 所述多个P+区4、第一条状元胞区41、点状元胞区42、第二条状元胞区43整体呈方形； 所述第一条状元胞区41中元胞的宽度和间距均大于第二条状元胞区43中元胞的宽度和间距。

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