中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司罗康获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966569B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111187793.9，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由罗康设计研发完成，并于2021-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部，所述鳍部包括掩埋区、位于所述掩埋区上的底部区、以及位于所述底部区上的顶部区，所述底部区的鳍部具有第一宽度尺寸，所述顶部区的鳍部具有第二宽度尺寸，所述第一宽度尺寸小于所述第二宽度尺寸；位于所述衬底上的隔离层，所述隔离层覆盖所述掩埋区。当所述底部区暴露出的鳍部的第一宽度尺寸较小时，能够使得后续形成的栅极对所述底部区的控制作用增强，进而减少所述底部区的鳍部发生漏电流的问题。另外，所述顶部区暴露出的鳍部的第二宽度尺寸较大，使得驱动电流的导通路径较长，进而提升最终形成的半导体结构的驱动性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部，所述鳍部包括掩埋区、位于所述掩埋区上的底部区、以及位于所述底部区上的顶部区，所述底部区具有第一初始宽度尺寸，所述顶部区具有第二初始宽度尺寸，所述第一初始宽度尺寸大于所述第二初始宽度尺寸； 在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述掩埋区，且所述隔离层的顶部表面齐平于所述底部区的底部表面； 对所述底部区和所述顶部区的表面进行第一氧化处理，以使得部分所述底部区和部分所述顶部区被氧化形成初始第一氧化层； 回刻蚀所述初始第一氧化层，直至暴露出所述底部区的鳍部侧壁表面为止，形成第一氧化层； 对所述底部区暴露出的鳍部表面进行第二氧化处理，以使得所述底部区暴露出的部分所述鳍部被氧化形成第二氧化层，所述底部区未被氧化的鳍部具有第一宽度尺寸，所述顶部区未被氧化的鳍部具有第二宽度尺寸，所述第一宽度尺寸小于所述第二宽度尺寸； 去除所述第一氧化层和所述第二氧化层。
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