三一硅能(株洲)有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉三一硅能(株洲)有限公司申请的专利TOPCon电池局域钝化接触结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881849B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211358533.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权TOPCon电池局域钝化接触结构的制备方法是由请求不公布姓名;王治业;请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本TOPCon电池局域钝化接触结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光伏电池技术领域，尤其涉及TOPCon电池局域钝化接触结构的制备方法。制备方法包括：在硅表面制备含氢的钝化接触结构，然后采用激光进行图形化局域处理，使得图形区含氢量降低，具备碱抗蚀性。本发明的局域钝化接触结构的制备方法，利用了薄膜结构氢含量不同对碱溶液刻蚀抗性差异的机理，解决了现有技术中掩膜制备和去除工艺复杂、图形精确性差、后期金属化印刷对准困难、无法量产或量产成本高、刻蚀效果不佳的技术问题。
本发明授权TOPCon电池局域钝化接触结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种局域钝化接触结构的制备方法，其特征在于，包括： 在硅表面制备含氢的钝化接触结构，然后采用激光在500~550纳米的激光波长、每平方厘米4~15焦的能量密度下进行图形化局域处理，使得图形区含氢量降低，具备碱抗蚀性；激光进行图形化局域处理前后，图形区的含氢量差异为5%以上； 在采用激光进行图形化局域处理时，脉冲宽度3~50纳秒；激光光斑形状为方形，方形的边长≤70微米；光斑中心间距≤光斑形状的边长； 在采用激光进行图形化局域处理后，所述制备方法还包括：将处理后的样品在碱溶液中进行刻蚀，然后进行退火、镀膜钝化处理、套印金属浆料并烧结形成局域钝化接触结构； 或在采用激光进行图形化局域处理后，所述制备方法还包括：将处理后的样品先进行退火，然后在碱溶液中进行刻蚀、镀膜钝化处理、套印金属浆料并烧结形成局域钝化接触结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三一硅能(株洲)有限公司，其通讯地址为：412000 湖南省株洲市石峰区铜塘湾街道铜霞路255号隆信国际1号楼518-50室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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