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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115836387B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180002479.0，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权三维存储器装置及其形成方法是由张坤;杨远程;周文犀;刘威;夏志良;陈亮;王言虹设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器装置及其形成方法在说明书摘要公布了：在某些方面，一种三维3D存储器装置包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一键合界面、以及第一半导体结构和第三半导体结构之间的第二键合界面。第一半导体结构包括NAND存储器串阵列和与NAND存储器串阵列的源极接触的第一半导体层。第二半导体结构包括NAND存储器串阵列的包括第一晶体管的第一外围电路、以及与第一晶体管接触的第二半导体层。第三半导体结构包括NAND存储器串阵列的包括第二晶体管的第二外围电路、以及与第二晶体管接触的第三半导体层。第二半导体层在第一键合界面与第一外围电路之间。第二外围电路在第二键合界面与第三半导体层之间。

本发明授权三维存储器装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维3D存储器装置，包括： 第一半导体结构，包括： NAND存储器串阵列；以及 与所述NAND存储器串阵列的源极接触的第一半导体层； 第二半导体结构，包括： 所述NAND存储器串阵列的第一外围电路，所述第一外围电路包括第一晶体管；以及 与所述第一晶体管接触的第二半导体层； 第三半导体结构，包括： 所述NAND存储器串阵列的第二外围电路，所述第二外围电路包括第二晶体管；以及 与所述第二晶体管接触的第三半导体层； 所述第一半导体结构与所述第二半导体结构之间的第一键合界面，其中，所述第二半导体层在所述第一键合界面与所述第一外围电路之间；以及 所述第一半导体结构与所述第三半导体结构之间的第二键合界面，其中，所述第二外围电路在所述第二键合界面与所述第三半导体层之间，其中，电介质层位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，其中，通过所述电介质层，所述第二半导体层与所述第一半导体层彼此键合以形成所述第一键合界面，并且 其中，所述第一晶体管的工作电压小于所述第二晶体管的工作电压。

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