上海华力微电子有限公司张钱获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211426506.X，技术领域涉及：H10P14/60；该发明授权半导体器件的制造方法是由张钱;张军星;江旻设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有UTM层，所述UTM层至少包括形成于所述衬底上的层间介质层，所述层间介质层包括分步形成的至少两个介质层；分步刻蚀所述层间介质层，每个刻蚀步骤仅刻蚀一个所述介质层，且相邻的刻蚀步骤之间存在一定的间隔时间。本发明通过分化层间介质层的刻蚀步骤，使每层介质层的刻蚀步骤之间存在一定的间隔时间，从而消除了相邻介质层之间的应力，释放了相邻介质层之间积累的电荷，减少或避免了所述层间介质层的刻蚀过程中产生电弧的情况，从而避免塔形缺陷的产生。
本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有UTM层，所述UTM层至少包括形成于所述衬底上的层间介质层，所述层间介质层包括分步形成的至少两个介质层，相邻的所述介质层之间的交界处存在电荷积累； 分步刻蚀所述层间介质层，每个刻蚀步骤仅刻蚀一个所述介质层，且相邻的刻蚀步骤之间存在一定的间隔时间，所述间隔时间为5sec~20sec。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力微电子有限公司，其通讯地址为：201314 上海市浦东新区良腾路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励