胜高股份有限公司太田广树获国家专利权
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龙图腾网获悉胜高股份有限公司申请的专利半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799095B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211100077.7，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法是由太田广树;森敬一朗;长泽崇裕;木濑芳美;谷本龙一设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种能够高精度地评价半导体晶片的表面粗糙度的新的评价方法。在评价对象的半导体晶片的表面的一个以上测定区域中，通过进行利用粗糙度测定装置的测定来取得最大高度Sz和Sz之外的粗糙度参数；以及针对各测定区域，以最大高度Sz的值为指标，判定在该测定区域中取得的Sz之外的粗糙度参数的值是否为在评价对象的半导体晶片的评价用中可采用的值。
本发明授权半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶片的评价方法，其中，包括： 在评价对象的半导体晶片的表面的一个以上测定区域中，通过进行利用粗糙度测定装置的三维测定来取得最大高度Sz和Sz之外的粗糙度参数；以及 针对各测定区域，以最大高度Sz的值为指标，判定在该测定区域中取得的Sz之外的粗糙度参数的值是否为在评价对象的半导体晶片的评价用中可采用的值。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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