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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种温度、应变复合传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115717910B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211493754.6，技术领域涉及：G01D21/02；该发明授权一种温度、应变复合传感器及其制备方法是由邰凯平;喻海龙;于治设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种温度、应变复合传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于多功能智能材料领域，具体涉及一种温度、应变复合传感器及其制备方法。该复合传感器包括：柔性基底层、功能材料层和金属电极，功能材料层采用磁控溅射工艺沉积在柔性基底层上，金属电极沉积在柔性基底层两端与功能材料层电连接；所述柔性基底层为聚酰亚胺薄膜，所述功能材料层为高度000l织构N型碲化铋薄膜。本发明所制备的复合传感器对温度和应变都极其敏感，并且制备方法简单易行，该复合传感器可用于温度应变双参数传感，有较强的应用价值。

本发明授权一种温度、应变复合传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种温度、应变复合传感器的制备方法，其特征在于，所述传感器包括：柔性基底层、功能材料层和金属电极，功能材料层采用磁控溅射工艺沉积在柔性基底层上，金属电极沉积在柔性基底层两端与功能材料层电连接；所述柔性基底层为聚酰亚胺薄膜，所述功能材料层为高度[000l]织构N型碲化铋薄膜；所述高度[000l]织构N型碲化铋薄膜厚度为300nm-2000nm；高度[000l]织构N型碲化铋薄膜具有压阻效应，其应变因子是负值，即碲化铋薄膜在产生拉应变的条件下，电阻减小；在产生压应变的条件下，电阻增大；并且随着压应变或者拉应变的增大，电阻增大或减小的幅度变大；且碲化铋薄膜受拉或受压时电阻变化的规律是可逆的；所述金属电极为Au、Ag或Pt高导电金属电极；所述聚酰亚胺薄膜厚度为25um-175um；在对碲化铋薄膜同时施加温度和应变激励的情况下，通过热电效应探测温度，通过电阻变化探测应变，实现温度和应变的双功能检测，且两者产生的信号不同，以实现信号解耦； 所述传感器的制备方法的具体步骤包括： 步骤1：采用飞秒激光切割技术，切割高精度磁控溅射样品盘及物理掩膜板； 步骤2：取聚酰亚胺薄膜，依次用丙酮和无水乙醇超声清洗30min，用镊子捞出后再用无尘纸吸干无水乙醇备用； 步骤3：利用磁控溅射镀膜技术，利用掩膜镀膜技术，在步骤2处理后的聚酰亚胺薄膜上沉积碲化铋薄膜； 步骤4：将步骤3中沉积了碲化铋薄膜的聚酰亚胺薄膜取出，更换掩膜板，在聚酰亚胺薄膜两端再沉积一层金属电极，最后通过银胶粘接金属电极与导线以引出信号线； 物理掩膜板分为碲化铋掩膜板和电极掩膜板； 步骤3中磁控溅射镀膜参数为：背真空度为1×10-7-2×10-7torr，通入Ar气压力为10-20mT，样品盘转速为10-20rmin，镀膜温度为300-400℃。

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