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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种高压LED芯片防断裂的串联结构生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632094B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211312433.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种高压LED芯片防断裂的串联结构生产方法是由黄章挺;张帆;郑高林设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压LED芯片防断裂的串联结构生产方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种高压LED芯片防断裂的串联结构生产方法，包括以下步骤：S3：在Wafer1上涂抹的光刻胶；显影第一裸露部中部上方的光刻胶；得到Wafer2；S4：烘烤Wafer2，烘烤时间2‑6min，温度100‑160度；本发明的有益效果在于：本发明提供的高压LED芯片防断裂的串联结构生产方法中，N层被刻蚀的光刻孔截面也呈梯形，此时N层光刻孔的侧壁斜度仅有35‑40度。在这种坡度较小N层的光刻孔上覆盖金属搭桥串联结构，使金属搭桥弯折角度小，起到串联结构防断裂的效果。

本发明授权一种高压LED芯片防断裂的串联结构生产方法在权利要求书中公布了：1.一种高压LED芯片防断裂的串联结构生产方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：采用金属有机化学气相沉积方法及制备在蓝宝石衬底上生长氮化镓基的N层、量子阱层以及P层； S2：刻蚀P层中部和量子阱中部，直至N层表面裸露出；此步骤中裸露出的N层为第一裸露部，使P层被分成间隔的第一P层和第二P层；使量子阱被分成间隔的第一量子阱和第二量子阱；得到Wafer1； S3：在Wafer1上涂抹8000-12000Å的光刻胶；显影第一裸露部中部上方的光刻胶；得到Wafer2； S4：烘烤Wafer2，烘烤时间2-6min，温度100-160度；使用等离子干法刻蚀第一裸露部中部，直至蓝宝石衬底裸露出；得到Wafer3； S5：在Wafer3上沉积二氧化硅，刻蚀第一裸露部靠近第一P层一侧边沿的二氧化硅，刻蚀第二P层远离第一P层一侧边沿的二氧化硅；保留下的依次相连的覆盖在部分第一裸露部、裸露出的蓝宝石衬底、第二量子阱侧壁、第二P层侧壁以及第二P层靠近第一P层一侧的侧部的二氧化硅为第二电流阻挡层； S6：在未覆盖第二电流阻挡层的第一裸露部、第二电流阻挡层以及第二P层上蒸镀金属搭桥；得到所述高压LED芯片防断裂的串联结构； 其特征在于，所述S2包括S2.1和S2.2； 所述S2具体为： S2.1：刻蚀P层中部和量子阱中部，直至N层表面裸露出；此步骤中裸露出的N层为第一裸露部，使P层被分成间隔的第一P层和第二P层；使量子阱被分成间隔的第一量子阱和第二量子阱； S2.2：刻蚀第二P层和第二量子阱，使第二N层裸露出，此步骤中裸露出的第二N层为第二裸露部；得到Wafer1。

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