格芯(美国)集成电路科技有限公司尼古拉斯·A·波洛莫夫获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利具有嵌入式无源射频噪声抑制器的防裂装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115577735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210553541.1，技术领域涉及：G06K19/077；该发明授权具有嵌入式无源射频噪声抑制器的防裂装置和方法是由尼古拉斯·A·波洛莫夫;S·B·哈勒姆;弗兰克·G·屈兴迈斯特;理查德·F·泰勒三世设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有嵌入式无源射频噪声抑制器的防裂装置和方法在说明书摘要公布了：本申请涉及具有嵌入式无源射频噪声抑制器的防裂装置和方法，公开了一种射频集成电路RFIC芯片，该射频集成电路芯片包括集成电路IC区域和横向围绕IC区域的防裂装置。防裂装置包括与IC区域电性隔离的金属屏障或者，同心金属屏障。将一个或多个噪声抑制器，尤其是一个或多个无源滤波器例如，低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和或带阻滤波器集成到金属屏障的结构中，以抑制特定RF范围内的噪声信号通过防裂装置传播。特定射频范围可以是客户指定的操作参数。通过将客制化的噪声抑制器嵌入到防裂装置中，客户指定的操作参数所特有的本地信号干扰可以被最小化，同时也避免或至少最小化湿气进入IC区域的风险。还公开了一种形成该芯片的方法。
本发明授权具有嵌入式无源射频噪声抑制器的防裂装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种射频集成电路芯片的结构，包括： 衬底，包括中心部分和边缘部分； 集成电路区域，位于该中心部分上；以及 多个金属屏障，位于该边缘部分上，包括： 第一金属屏障，横向围绕该集成电路区域并与该集成电路区域物理分离； 第二金属屏障，横向围绕该第一金属屏障；以及 无源滤波器，包括至少一个电磁装置，其中，该无源滤波器是嵌入该第一金属屏障中、嵌入该第二金属屏障中、嵌入该第一金属屏障及该第二金属屏障两者中、以及嵌入该第一金属屏障与该第二金属屏障之间的空间中的任何一种情形，且其中，该无源滤波器通过该集成电路区域内不同位置间的该多个金属屏障抑制射频噪声信号传播， 其中，该第一金属屏障在该衬底中的第一阱区上，以及该第二金属屏障在该衬底中的第二阱区上并且具有与该第一阱区不同的导电类型。
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