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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利方波驱动的离子存储—多次反射飞行时间质谱系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565846B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110742107.3，技术领域涉及：H01J49/00；该发明授权方波驱动的离子存储—多次反射飞行时间质谱系统及方法是由陈平;曹艺雪;李海洋;文宇轩;陈懿设计研发完成，并于2021-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本方波驱动的离子存储—多次反射飞行时间质谱系统及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及方波驱动的离子存储—多次反射飞行时间质谱系统及方法，包括以下步骤：对离子阱的入口电极和出口电极分别施加直流电压DC1和直流电压DC2；射频电极施加任意频率和幅值的方波射频电压；带有能量的离子束穿过入口电极进入射频电极的区域，实现离子的注入；随后在入口电极和出口电极形成的直流势阱和方波射频形成的四极势阱作用下，实现离子在离子阱中的存储和冷却；充分冷却后，在入口电极和出口电极施加双脉冲电压，将阱中离子沿轴向提取至飞行时间质谱检测器。本发明将数字方波取代正弦波应用至离子存储‑多次反射飞行时间质谱。有望改善IS‑MRTOFMS的性能，更深的势阱会进一步提升IS‑MRTOFMS的分辨率，提高存储阱的存储容量，进而提升仪器的灵敏度。

本发明授权方波驱动的离子存储—多次反射飞行时间质谱系统及方法在权利要求书中公布了：1.方波驱动的离子存储—多次反射飞行时间质谱方法，其特征在于，对离子阱的射频电极施加方波射频电压，通过时序控制，在离子阱中实现离子的注入、冷却和提取，包括以下步骤： 对离子阱的入口电极和出口电极分别施加直流电压DC1和直流电压DC2；射频电极施加任意频率和幅值的方波射频电压； 带有能量的离子束穿过入口电极进入射频电极的区域，实现离子的注入； 随后在入口电极和出口电极形成的直流势阱和方波射频形成的四极势阱作用下，实现离子在离子阱中的存储和冷却； 充分冷却后，在入口电极和出口电极施加双脉冲电压，将阱中离子沿轴向提取至飞行时间质谱检测器； 在离子注入期间内，通过直流电场实现离子注入，将入口电极电压DC1降至-5V，与入口电极前端电压形成势能梯度，实现离子到离子阱的注入，同时将入口电极电压DC1升至+3V，防止离子流出，射频电极施加射频电压用以捕获注入离子； 离子在离子阱中的存储和冷却期间，将入口电极直流电压DC1和出口电极直流电压DC2同时调制到+10V，实现对离子轴向上的约束，方波射频场在径向上束缚离子，经过一定时间的冷却后，形成的离子云在空间上汇聚到四极杆的中心轴线上； 在离子提取期间内，采用双脉冲提取，分别在入口电极直流电压DC1和出口电极直流电压DC2分别施加+300V和-300V的脉冲高压，提取时间为10μs，将阱中离子提取至后端的飞行时间质谱检测器。

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