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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种LDMOS功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528115B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211189645.5，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种LDMOS功率器件及其制备方法是由王威;黄汇钦设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LDMOS功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种LDMOS功率器件及其制备方法，LDMOS功率器件包括：半导体衬底、埋氧区、P型阱区、P型基区、源极区、漂移区、漏极区、钝化层、源极电极、栅极电极、漏极电极以及栅极扩展区；通过在半导体衬底的正面上设置多个与漂移区相对的衬底凹槽,并在埋氧区背面设置多个与衬底凹槽匹配的埋氧凸起结构,由多个衬底凹槽聚集更多的空穴，从而引入更多的电场尖峰，增强器件对漏极区附近的电场调制能力，并通过调制LDMOS功率器件的表面电场，提高LDMOS功率器件的横向耐压，解决了现有的LDMOS功率器件击穿电压较小的问题。

本发明授权一种LDMOS功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS功率器件，其特征在于，所述LDMOS功率器件包括： 半导体衬底； 埋氧区，设于所述半导体衬底的正面； P型阱区、P型基区，所述P型阱区和所述P型基区均设于所述埋氧区的正面，且所述P型阱区的形状呈“L”形，所述P型基区与所述P型阱区的水平部接触； 源极区，设于所述P型阱区的水平部上，且与所述P型基区接触； 漂移区，设于所述埋氧区的正面，且与所述P型阱区接触；其中，所述漂移区呈“L”形，所述半导体衬底的正面设有与所述漂移区相对的多个衬底凹槽，且所述埋氧区的背面设有多个埋氧凸起结构，多个所述埋氧凸起结构填充于多个所述衬底凹槽内；多个所述衬底凹槽和多个所述埋氧凸起结构互补；每个所述衬底凹槽的底部具有两个拐角，拐角处用于聚集空穴； 漏极区，设于所述漂移区的水平部上； 钝化层，设于所述源极区、所述P型阱区以及所述漂移区上；其中，所述钝化层的形状呈“L”形； 源极电极，位于所述P型基区上； 栅极电极，设于所述钝化层的水平部上；其中，钝化层的垂直部位于所述栅极电极与所述源极电极之间； 漏极电极，与所述漏极区接触； 栅极扩展区，设于所述钝化层的水平部上，且位于所述栅极电极与所述漏极电极之间，所述栅极电极和所述栅极扩展区的宽度之和与所述钝化层的水平部的宽度之和相等；所述栅极扩展区在所述漂移区上方形成一条从所述漏极区到所述源极区的电子通道。

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