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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种基于GeSe的双异质结CMOS型光电探测器及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513229B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211364237.9，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权一种基于GeSe的双异质结CMOS型光电探测器及制作方法是由刘向;郭其华;陶治设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于GeSe的双异质结CMOS型光电探测器及制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微电子与光电子的技术领域，具体涉及一种基于GeSe的双异质结CMOS型光电探测器及制作方法，包括第一栅极、第二栅极、绝缘层、第一源极、第二源极、第一P型GeSe半导体有源层、第一N型半导体感光层、第二N型半导体感光层、第二P型GeSe半导体有源层、第一漏极、第二漏极，所述PN异质结由P型半导体有源层、N型半导体感光层接触形成，所述源极、漏极分别位于PN异质结的两侧，且所述第一漏极与第二漏极相连。本发明新颖地提出了以GeSe为p型有源层材料构建双异质结的CMOS反相器，并给出3例相应实例。反相器工作性能优异，具有高载流子迁移率、高探测率以及高光响应率，可以实现栅极电压可控。

本发明授权一种基于GeSe的双异质结CMOS型光电探测器及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种光电反相器，包括基底A1、第一栅电极A21、第二栅电极A22、绝缘层A3、第一源极A41、第二源极A42、第一P型半导体有源层A51、第一N型半导体感光层A61、第二N型半导体感光层A52、第二P型半导体有源层A62、第一漏极A71、第二漏极A72，其特征在于，第一PN异质结由第一P型半导体有源层A51与第一N型半导体感光层A61接触形成，所述第一P型半导体有源层A51接触第一N型半导体感光层A61，所述第一N型半导体感光层A61接触第一漏极A71；第二PN异质结由第二N型半导体感光层A52与第二P型半导体有源层A62接触形成，所述第二N型半导体感光层A52接触第二P型半导体有源层A62，所述第二P型半导体有源层A62接触第二漏极A72； 所述第一源极A41、第一漏极A71在垂直方向上分别位于第一PN异质结的上下两侧，在水平方向上分别位于第一PN异质结的左右两侧；所述第二源极A42、第二漏极A72在垂直方向上分别位于第二PN异质结的上下两侧，在水平方向上分别位于第二PN异质结的左右两侧，且所述第一漏极A71与第二漏极A72相连； 所述第一栅电极与第一PN异质结的第一P型半导体有源层相邻，则与第一源极、第一漏极、第一PN异质结共同构成NMOS光电晶体管，所述第二栅电极与第二PN异质结的第二N型半导体感光层相邻，则与第二源极、第二漏极、第二PN异质结共同构成PMOS光电晶体管，所述PMOS光电晶体管与NMOS光电晶体管共同构成CMOS光电晶体管反相器； 所述栅电极位于顶部作为顶栅或位于底部作为底栅。

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