武汉华星光电技术有限公司马涛获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利显示面板及显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115513224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211144517.9,技术领域涉及:H10D86/60;该发明授权显示面板及显示装置是由马涛;艾飞;吴志林设计研发完成,并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板及显示装置在说明书摘要公布了:本发明公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括薄膜晶体管;该显示面板还包括基板、第一金属层、有源层、间隔层以及第二金属层;第一金属层设置于基板上,并包括薄膜晶体管的栅极;有源层设置于第一金属层远离基板的一侧,并包括薄膜晶体管的有源部,有源部设置于栅极远离基板的一侧;间隔层设置于有源层远离第一金属层的一侧,并包括多个接触孔;第二金属层设置于间隔层远离有源层的一侧,并包括薄膜晶体管的源极和漏极,且源极、漏极皆穿过接触孔与有源部搭接;其中,栅极在基板上的正投影覆盖至少部分接触孔在基板上的正投影。本发明可以减小薄膜晶体管产生的光生漏电流,并提高源极、漏极与有源部的搭接良率。
本发明授权显示面板及显示装置在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括非显示区,所述显示面板包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括设置于所述非显示区内的第二晶体管和第三晶体管; 所述显示面板还包括: 基板; 第一金属层,设置于所述基板上,并包括所述薄膜晶体管的栅极,所述第一金属层包括所述第二晶体管的第二栅极和所述第三晶体管的第三栅极; 有源层,设置于所述第一金属层远离所述基板的一侧,并包括所述薄膜晶体管的有源部,所述有源部设置于所述栅极远离所述基板的一侧,所述有源层包括所述第二晶体管的第二有源部和所述第三晶体管的第三有源部; 间隔层,设置于所述有源层远离所述第一金属层的一侧,并包括多个接触孔; 第二金属层,设置于所述间隔层远离所述有源层的一侧,并包括所述薄膜晶体管的源极和漏极,且所述源极、所述漏极皆穿过所述接触孔与所述有源部搭接,所述第二金属层包括所述第二晶体管的第二源极和第二漏极,所述第二晶体管与所述第三晶体管共用所述第二源极或所述第二漏极; 其中,所述栅极在所述基板上的正投影覆盖至少部分所述接触孔在所述基板上的正投影。
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