株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社渡边健太获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498039B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210677509.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及其制造方法是由渡边健太;大川峰司设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件1、2，包括：化合物半导体层15、115，其具有第一化合物半导体层14、114和熔点高于第一化合物半导体层的第二化合物半导体层16、116；和位于第二化合物半导体层上的绝缘栅40、140。所述化合物半导体层还包括：漂移区22、122；源区25、125；和在漂移区和源区之间的主体区24、124。所述绝缘栅面向所述主体区。所述主体区桥接所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层两者。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 化合物半导体层，其具有第一化合物半导体层和布置在所述第一化合物半导体层上且具有比所述第一化合物半导体层高的熔点的第二化合物半导体层；和 绝缘栅，其布置在所述第二化合物半导体层上，其中： 所述化合物半导体层还包括： 具有第一导电类型的漂移区； 具有所述第一导电类型的源区；和 具有第二导电类型的主体区，其布置在所述漂移区与所述源区之间，并且布置于在所述化合物半导体层的上表面上暴露的位置处； 所述绝缘栅面向位于所述漂移区与所述源区之间的所述主体区；并且 位于所述漂移区与所述源区之间的所述主体区布置成桥接所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层两者。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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