中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司周飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110677518.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由周飞设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，包括第一区和第二区；初始鳍部，位于衬底上；栅极结构，位于衬底上且覆盖初始鳍部；第一鳍部，位于第一区上且位于栅极结构的两侧；第二鳍部，位于第二区上且位于栅极结构的两侧，第一鳍部的宽度大于第二鳍部的宽度；第一侧墙，位于第一鳍部的侧壁上；第二侧墙，位于第二鳍部的侧壁上；第一源漏掺杂层，位于第一鳍部上，且底部位于第一侧墙之间；第二源漏掺杂层，位于第二鳍部上，且底部所述第二侧墙之间；隔离层，位于衬底上，第一鳍部的顶部表面低于所述隔离层的顶部表面，第二鳍部的顶部表面高于所述隔离层的顶部表面；能够有效的提升最终形成的半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括第一区和第二区； 初始鳍部，位于所述衬底上； 栅极结构，位于所述衬底上且覆盖所述初始鳍部； 第一鳍部，位于所述第一区上且位于所述栅极结构的两侧，所述第一鳍部的宽度与所述初始鳍部的宽度一致； 第二鳍部，位于所述第二区上且位于所述栅极结构的两侧，所述第一鳍部的宽度大于所述第二鳍部的宽度； 第一侧墙，位于所述第一鳍部的侧壁上； 第二侧墙，位于所述第二鳍部的侧壁上； 第一源漏掺杂层，位于所述第一鳍部上，且底部位于所述第一侧墙之间； 第二源漏掺杂层，位于所述第二鳍部上，且底部位于所述第二侧墙之间，所述第一源漏掺杂层的体积大于所述第二源漏掺杂层的体积； 隔离层，位于所述衬底上，所述第一鳍部的顶部表面低于所述隔离层的顶部表面，所述第二鳍部的顶部表面高于所述隔离层的顶部表面。
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