富士电机株式会社泷泽直树获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115485831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180031064.6,技术领域涉及:H10W40/22;该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由泷泽直树设计研发完成,并于2021-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了:能够降低焊料的厚度,并且抑制陶瓷电路基板和焊料的破坏。金属底板30在俯视时呈矩形状,且在正面设定有接合区域,并在与对置的一对短边31a、31c平行且被一对短边31a、31c所夹的正中央设定有中心线CL1。陶瓷电路基板21包括在俯视时为矩形状的陶瓷基板、形成于陶瓷基板的正面且接合半导体芯片的电路图案以及形成于陶瓷基板22的背面且通过焊料25a、25b与接合区域接合的金属板23。此时,焊料25a、25b在远离中心线CL1的一方的边缘部具备焊料25a、25b所包含的空隙的密度比其他区域的焊料25a、25b所包含的空隙的密度高的应力缓和区域25a1、25b1。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于,具有: 第一半导体芯片; 金属底板,其在俯视时呈矩形状,且在正面设定有接合区域,并在与对置的一对第一边平行且被所述一对第一边所夹的正中央设定有第一中心线;以及 第一绝缘电路基板,其包括在俯视时为矩形状的第一绝缘板、形成于所述第一绝缘板的正面且接合所述第一半导体芯片的第一电路图案、以及形成于所述第一绝缘板的背面且通过第一接合部件与所述接合区域接合的第一金属板, 所述第一接合部件将所述金属底板与所述第一金属板之间进行接合,并形成有从所述第一金属板的外周端部向外侧呈下摆扩展的形状的焊脚,且在远离所述第一中心线的一侧的第一边缘部的一部分具备第一应力缓和区域,在所述第一应力缓和区域,所述第一接合部件所包含的空隙的密度比其他区域的所述第一接合部件所包含的空隙的密度高, 所述金属底板沿着与所述一对第一边正交且对置的一对第二边相对于所述第一中心线成线对称地设定有多列所述接合区域, 所述第一绝缘电路基板通过所述第一接合部件分别与所述多列接合区域接合, 在相邻的所述第一绝缘电路基板中,所述第一应力缓和区域的与所述第二边平行的宽度,在远离所述第一中心线的所述第一绝缘电路基板这一方比接近所述第一中心线的所述第一绝缘电路基板这一方宽。
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