上海华虹宏力半导体制造有限公司汤志林获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利闪存器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211320054.7，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权闪存器件及其制备方法是由汤志林;付永琴;王卉;曹子贵设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种闪存器件及其制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明提供的闪存器件的制备方法中，其通过在形成位于字线侧壁上的栅极侧墙的工艺步骤之后，添加一热处理工艺，以靠近所述栅极侧墙的字线顶面的部分厚度的导电材料转换成绝缘材料，从而避免后续形成在该字线顶面其他部位的金属硅化物层与分栅快闪存储器的金属插塞之间发生短路，引起分栅快闪存储器失效的问题。
本发明授权闪存器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一半导体衬底，在所述半导体衬底内形成有用于定义闪存器件有源区的沟槽隔离结构，而在所述有源区所对应的半导体衬底的表面上则形成有存储结构、位于存储结构两侧的字线以及位于字线两侧的栅极侧墙，其中所述沟槽隔离结构的顶面高于所述半导体衬底的顶面，所述字线的材料为导电材料； 对包含有所述栅极侧墙的半导体衬底进行热处理工艺，以将靠近所述栅极侧墙的字线顶面的部分厚度的导电材料转换成绝缘材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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