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龙图腾网获悉瑞昱半导体股份有限公司申请的专利能够朝向布局边缘形成寄生电容的半导体电容阵列布局获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377092B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110548878.9，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权能够朝向布局边缘形成寄生电容的半导体电容阵列布局是由黄诗雄设计研发完成，并于2021-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本能够朝向布局边缘形成寄生电容的半导体电容阵列布局在说明书摘要公布了：一种能够朝向布局边缘形成寄生电容的半导体电容阵列布局，以减少外围的电容单元与内部的电容单元之间的电容差异。该半导体电容阵列布局包含一第一导电结构与一第二导电结构。第一导电结构包含：多个纵向第一导电条位于一第一集成电路层；多个横向第一导电条位于一第二集成电路层，并与该些纵向第一导电条形成多个井形结构。该些井形结构包含在电性上相连的外侧井与内侧井。该第二导电结构包含多个第二导体位于该第一集成电路层且位于该些井形结构。该些第二导体包含在电性上不相连的外侧导体与内侧导体，其分别位于该些外侧井与该些内侧井。该些内侧导体中最靠近该外侧井者，与该些外侧井形成寄生电容。

本发明授权能够朝向布局边缘形成寄生电容的半导体电容阵列布局在权利要求书中公布了：1.一种半导体电容阵列布局结构，能够朝向该半导体电容阵列布局结构的一边缘形成寄生电容，该半导体电容阵列布局结构包含： 一第一导电结构，包含： M个纵向第一导电条位于一第一集成电路层，其中该M为大于二的整数； N个横向第一导电条位于一第二集成电路层，该N个横向第一导电条经由多个第一通孔耦接该M个纵向第一导电条，且与该M个纵向第一导电条共同地形成[M−1×N−1]个井形结构，该[M−1×N−1]个井形结构包含N−1个外侧井与{[M−2×N−1]}个内侧井，该N−1个外侧井与该{[M−2×N−1]}个内侧井在电性上相连，其中该N为大于一的整数； 一第二导电结构，包含： [M−1×N−1]个第二导体位于该第一集成电路层，且分别地位于该[M−1×N−1]个井形结构中，该[M−1×N−1]个第二导体包含N−1个外侧第二导体与{[M−2×N−1]}个内侧第二导体，该N−1个外侧第二导体位于该N−1个外侧井中，该{[M−2×N−1]}个内侧第二导体位于该{[M−2×N−1]}个内侧井中，该N−1个外侧第二导体与该{[M−2×N−1]}个内侧第二导体在电性上不相连， 其中该M个纵向第一导电条与该N个横向第一导电条用于一第一电压的传输，该{[M−2×N−1]}个内侧第二导体用于一第二电压的传输，该N−1个外侧第二导体用于一预设电压的传输或未用于任何电压的传输，该第一电压不同于该第二电压，也不同于该预设电压，该预设电压不同于该第二电压，该{[M−2×N−1]}个内侧第二导体中的N−1个内侧第二导体最靠近该N−1个外侧井，该N−1个内侧第二导体与该N−1个外侧井共同地形成该寄生电容， 其中该N−1个外侧第二导体的每一个的形状实质地同于该{[M−2×N−1]}个内侧第二导体的每一个的形状。

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