长江存储科技有限责任公司霍宗亮获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器器件及其制造方法、系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312495B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210593455.3，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权存储器器件及其制造方法、系统是由霍宗亮;周文斌;张磊;阳涵;黄攀;卢峰;徐文祥;夏正亮设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件及其制造方法、系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器器件及其制造方法、系统。该存储器器件包括：堆叠层，包括交替堆叠的多个栅极层和多个电介质层；多个接触结构，所述多个接触结构中的每个接触结构穿过所述堆叠层并分别与各自预定深度的栅极层接触，其中每一栅极层与至少两个接触结构接触；多个绝缘层，包围所述多个接触结构的侧壁，以将所述多个结构与被所述多个接触结构贯穿的栅极层之间电隔离；以及一个或多个栅极隔槽，延伸通过所述堆叠层。
本发明授权存储器器件及其制造方法、系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 堆叠层，包括交替堆叠的多个栅极层和多个电介质层； 多个接触结构，所述多个接触结构中的每个接触结构穿过所述堆叠层并分别与各自预定深度的栅极层接触，其中每一栅极层与至少两个接触结构接触； 多个绝缘层，包围所述多个接触结构的侧壁，以将所述多个接触结构与被所述多个接触结构贯穿的栅极层之间电隔离；以及 一个或多个栅极隔槽，延伸通过所述堆叠层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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