长电科技(宿迁)有限公司徐赛获国家专利权
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龙图腾网获悉长电科技(宿迁)有限公司申请的专利芯片封装单元的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249622B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110455294.7，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权芯片封装单元的制备方法是由徐赛;陆军设计研发完成，并于2021-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装单元的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种芯片封装单元的制备方法，包括如下步骤：提供将基岛周缘以及管脚的内管脚段预封装的引线框架，其中，与所述基岛相连接的第一管脚与其他第二管脚相绝缘；将芯片焊接于所述引线框架的基岛上；进行球焊测试；在球焊测试完且测试异常不超过预设的指标后，进行等离子清洗后对基岛以及所述管脚的内管脚段进行包封，得到半成品；对所述半成品的裸露区域进行电镀锡；封装成型并切成单颗形式，得到芯片封装单元；能够边焊接边进行测试，监测球焊制程；同时，减少了后续切筋应力对最终的产品的影响。
本发明授权芯片封装单元的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装单元的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤： 提供引线框架，其中，所述引线框架上与基岛相连接的第一管脚与其他第二管脚相绝缘； 将芯片焊接于所述引线框架的基岛上； 边焊接边进行球焊测试； 在球焊测试完且测试异常不超过预设的指标后，进行等离子清洗后对基岛以及所述管脚的内管脚段进行包封，得到半成品； 对所述半成品的裸露区域进行电镀锡； 封装成型并切成单颗形式，得到芯片封装单元； 对芯片封装单元进行电性能测试； 其中，“提供引线框架”具体包括如下步骤： 成型具有引线框架外形的基础框架； 在基础框架上成型多个子单元，每一子单元具有散热片、基岛、与所述基岛相连接的第一管脚、连接筋、与所述基岛间隔设置的至少两个第二管脚； 将基岛周缘、第一管脚的内管脚段、第二管脚的内管脚段预封装在一起，并露出第二管脚的内管脚段； 冲塑，去除第一管脚与第二管脚之间以及第一管脚远离基岛的一端的连接筋； 对第二管脚的内管脚段进行电镀。
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