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龙图腾网获悉矽磐微电子(重庆)有限公司申请的专利PIP封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148713B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110336514.4，技术领域涉及：H10D80/00；该发明授权PIP封装结构及其制作方法是由周辉星设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本PIP封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种PIP封装结构及其制作方法，PIP封装结构包括：中间封装结构、多个电连接结构、外塑封层、第一预布线基板、第二预布线基板以及无源器件。将各种功能的单独裸片或者多个裸片先进行一次封装，即形成单个裸片的一次封装或者裸片组件的一次封装，实现一次再布线过程；之后将中间封装结构进行二次封装，形成PIP封装结构。预布线基板包括复杂多电路，这些复杂多电路将中间封装结构进行再布线，可提高整个PIP封装结构的性能，还实现了将无源器件纳入PIP封装结构。预布线基板可在封装之前进行测试，避免使用已知不良预布线基板。预布线基板为预制基板，其制作过程独立于封装过程，可节省整个封装工艺的封装时间。

本发明授权PIP封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种PIP封装结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供多组第一待塑封件，每组所述第一待塑封件包括：中间封装结构以及位于所述中间封装结构的侧边的多个导电柱，所述中间封装结构具有对外连接端；所述导电柱包括相对的第一端与第二端； 形成外塑封层，所述外塑封层包覆所述多组第一待塑封件，所述外塑封层的正面暴露各个所述中间封装结构的对外连接端以及各个所述导电柱的第一端，所述外塑封层的背面暴露各个所述导电柱的第二端；所述导电柱为形成所述外塑封层之前形成的电连接结构； 将各组所述第一待塑封件对应的各个第一预布线基板的背面连接于所述外塑封层的正面；所述第一预布线基板内设有第一预布线线路，所述第一预布线线路包括第一正面电连接点与第一背面电连接点，所述第一正面电连接点暴露在所述第一预布线基板的正面，所述第一背面电连接点暴露在所述第一预布线基板的背面；每个所述第一预布线基板的部分数目的所述第一背面电连接点连接于组内的所述导电柱的第一端，部分数目的所述第一背面电连接点连接于组内的所述中间封装结构的对外连接端； 将各组所述第一待塑封件对应的各个第二预布线基板的背面连接于所述外塑封层的背面；所述第二预布线基板内设有第二预布线线路，所述第二预布线线路包括第二正面电连接点与第二背面电连接点，所述第二正面电连接点暴露在所述第二预布线基板的正面，所述第二背面电连接点暴露在所述第二预布线基板的背面；每个所述第二预布线基板的所述第二背面电连接点连接于组内的所述导电柱的第二端；所述第一预布线基板及所述第二预布线基板均为预制基板； 将各个无源器件电连接于对应的所述第一预布线基板的所述第一正面电连接点或对应的所述第二预布线基板的所述第二正面电连接点； 切割形成多个PIP封装结构，每个所述PIP封装结构包括一组所述第一待塑封件； 所述中间封装结构的形成方法包括： 提供第二载板与承载于所述第二载板的多组第二待塑封件，每组所述第二待塑封件包括：第一裸片，所述第一裸片包括若干第一焊盘，所述第一焊盘位于所述第一裸片的活性面；所述第一裸片的活性面朝向所述第二载板； 所述第一裸片的活性面覆盖有第一保护层，所述第一保护层具有暴露所述第一焊盘的第一开口；所述第一开口作为对准图案特征，以将所述第一裸片按照预定的排布位置排布在所述第二载板上。

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