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矽磐微电子(重庆)有限公司周辉星获国家专利权

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龙图腾网获悉矽磐微电子(重庆)有限公司申请的专利半导体封装方法及半导体封装结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115148712B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110335642.7,技术领域涉及:H10D80/00;该发明授权半导体封装方法及半导体封装结构是由周辉星设计研发完成,并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体封装方法及半导体封装结构在说明书摘要公布了:本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。所述半导体封装方法包括:形成第一包封结构及第二包封结构;将第一包封结构及第二包封结构贴装在第三载板上;形成将第三包封层,得到第三包封结构;剥离第三载板;形成穿透第三包封结构的通孔并在通孔内形成导电结构,在第三包封结构的第一表面设置第三再布线结构,在第三包封结构的第二表面设置第四再布线结构;第三再布线结构通过导电结构与第四再布线结构电连接,第一再布线结构分别与第一包封结构的第一再布线结构及第二包封结构的第二再布线结构电连接;在第四再布线结构背离第二表面的一侧设置被动件。

本发明授权半导体封装方法及半导体封装结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装方法,其特征在于,所述半导体封装方法包括: 形成第一包封结构及第二包封结构;形成所述第一包封结构的步骤包括:将第一裸片贴装于第一载板上,所述第一裸片的正面朝向所述第一载板,所述第一裸片的正面设有多个第一焊垫;形成第一包封层;剥离所述第一载板;在所述第一裸片的正面形成与所述第一焊垫电连接的第一再布线结构;形成所述第二包封结构的步骤包括:将第二裸片贴装于第二载板上,所述第二裸片的正面设有多个第二焊垫,所述第二裸片的正面朝向所述第二载板;形成第二包封层;剥离所述第二载板;在所述第二裸片的正面形成与所述第二焊垫电连接的第二再布线结构;所述第一裸片的正面设有第一保护层,所述第一保护层设有开孔,所述开孔暴露所述第一焊垫;将所述第一裸片贴装于所述第一载板上时,采用所述第一保护层的开口作为对位标识; 将所述第一包封结构及所述第二包封结构贴装在第三载板上,所述第一再布线结构与所述第二再布线结构均朝向所述载板; 形成第三包封层,所述第三包封层将所述第一包封结构与所述第二包封结构包封,得到第三包封结构;所述第三包封结构包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,所述第一表面朝向所述第三载板; 剥离所述第三载板; 形成穿透所述第三包封结构的多个通孔并在各所述通孔内形成导电结构,在所述第一表面设置第三再布线结构,在所述第二表面设置第四再布线结构;所述第三再布线结构通过所述导电结构与所述第四再布线结构电连接,所述第三再布线结构分别与所述第一再布线结构及所述第二再布线结构电连接;所述第四再布线结构为预布线基板,所述预布线基板包括预布线线路;所述形成导电结构的步骤于所述在所述第二表面设置第四再布线结构的步骤之后进行; 在所述第四再布线结构背离所述第二表面的一侧设置被动件,所述被动件与所述第四再布线结构电连接;所述预布线线路分别与所述导电结构及所述被动件电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人矽磐微电子(重庆)有限公司,其通讯地址为:401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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