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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210044443.5，技术领域涉及：G11C5/06；该发明授权存储器件是由中山昌彦;须之内一正;小濑木淳一设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件在说明书摘要公布了：实施例提供了一种能够减少漏电流的存储器件。根据一个实施例，一种存储器件包括沿第一方向延伸的第一布线和沿第二方向延伸的第二布线。存储器基元连接在第一布线和第二布线之间并且包括可变电阻存储器元件。第一驱动电路被设置用于向第一布线提供电压，第二驱动电路被设置用于向第二布线提供电压。第一驱动电路将第一电压施加到选定第一布线，第二驱动电路将第二电压施加到选定第二布线。第一电压与第二电压之和的一半和第二电压之间的电压被施加到未选定第一布线，第一电压与第二电压之和的一半和第一电压之间电压被施加到未选定第二布线。

本发明授权存储器件在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，包括： 沿第一方向延伸的多条第一布线； 沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多条第二布线； 连接在所述多条第一布线和所述多条第二布线之间的多个存储器基元，每个存储器基元包括可变电阻存储器元件； 第一驱动电路，其用于向所述多条第一布线提供电压；以及 第二驱动电路，其用于向所述多条第二布线提供电压，其中 所述第一驱动电路将第一电压施加到与选定存储器基元连接的选定第一布线， 所述第二驱动电路将低于所述第一电压的第二电压施加到与所述选定存储器基元连接的选定第二布线， 所述第一驱动电路将第三电压施加到与除所述选定存储器基元之外的存储器基元连接的未选定第一布线，所述第三电压在所述第一电压与所述第二电压之和的一半和所述第二电压之间的范围内， 所述第二驱动电路将第四电压施加到与除所述选定存储器基元之外的存储器基元连接的未选定第二布线，所述第四电压在所述第一电压与所述第二电压之和的一半和所述第一电压之间的范围内， 所述第三电压被设定为所述第一电压与所述第二电压之和的一半减去第一偏移电压，所述第一偏移电压具有值Voffseta， 所述第四电压被设定为所述第一电压与所述第二电压之和的一半加上第二偏移电压，所述第二偏移电压具有值Voffsetb，以及 所述第一偏移电压和所述第二偏移电压为正值。

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