长江存储科技有限责任公司方超获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210163308.2，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权一种半导体器件的形成方法是由方超;黄志宏;吁卫东;袁元;艾仙雄;魏禹农;刘云飞设计研发完成，并于2022-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体器件的形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有堆叠结构；所述堆叠结构包括待形成的台阶区域，所述待形成的台阶区域包括多个子台阶区域，且每个所述子台阶区域的高度不同；在所述待形成的台阶区域上形成光刻胶层；根据所述待形成的台阶区域内的所述光刻胶层的最高处和最低处之间的高度差，确定对所述光刻胶层的光刻方案。本申请实施例提供的半导体器件的形成方法，根据光刻胶层的最高处和最低处之间的高度差，确定对光刻胶层的光刻方案，有助于光刻胶层形成的图案具有较好的形貌，从而显著地改善由于光刻胶胶层的图案变形而导致的半导体器件出现结构缺陷的问题。
本发明授权一种半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括： 提供衬底，所述衬底上具有堆叠结构； 所述堆叠结构包括待形成的台阶区域，所述待形成的台阶区域包括多个子台阶区域，且每个所述子台阶区域的高度不同； 在所述待形成的台阶区域上形成光刻胶层； 根据所述待形成的台阶区域内的所述光刻胶层的最高处和最低处之间的高度差与光刻聚焦深度之间的大小关系，确定对所述光刻胶层的光刻方案； 所述光刻胶层的最高处和最低处之间的高度差大于所述光刻聚焦深度时，将所述待形成的台阶区域划分为多个子区域集合；每个所述子区域集合包括数量大于等于1的所述子台阶区域；分别对不同所述子区域集合内的光刻胶层进行光刻处理。
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