上海华虹宏力半导体制造有限公司陈宏获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种半导体器件的版图结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114997095B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210436675.5，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种半导体器件的版图结构是由陈宏设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的版图结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的版图结构，包括：沿第一方向延伸的两条字线，两条字线之间具有沿第一方向排布的若干源线，相邻两个源线之间具有间隙，所述字线具有向每个所述间隙内凸出的第一凸出部，所述间隙内的两个所述第一凸出部在所述第一方向上错位排布，且每个所述第一凸出部上均设置有字线插塞，每个所述第一凸出部与相近的所述源线之间均设置有隔离结构。所述隔离结构隔离所述源线及所诉字线插塞，防止所述字线插塞发生位置偏移时与所述源线之间发生短接，避免所述源线与所述字线之间产生漏电。
本发明授权一种半导体器件的版图结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的版图结构，其特征在于，包括沿第一方向延伸的两条字线，两条字线之间具有沿第一方向排布的若干源线，相邻两个源线之间具有间隙，所述字线具有向每个所述间隙内凸出的第一凸出部，所述间隙内的两个所述第一凸出部在所述第一方向上错位排布，且每个所述第一凸出部上均设置有字线插塞，每个所述第一凸出部与相近的所述源线之间均设置有隔离结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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