应用材料公司徐翼获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于选择性间隙填充的低温等离子体预清洁获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114930520B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180008907.0,技术领域涉及:H10W20/42;该发明授权用于选择性间隙填充的低温等离子体预清洁是由徐翼;呼宇飞;大东和也;杰拉尔丁·M·瓦斯奎兹;何达;贾勒帕里·拉维;雷雨;吴典晔设计研发完成,并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于选择性间隙填充的低温等离子体预清洁在说明书摘要公布了:描述用于预清洁基板的方法,所述基板具有金属和电介质表面。将包含冷却特征的基座的温度设定为小于或等于100℃,其中基板位在所述基座上。使基板暴露于等离子体处理,以从包括金属底部、电介质侧壁和或电介质场的基板的特征去除化学残留物和或杂质,和或修复电介质侧壁和或电介质场中的表面缺陷。等离子体处理可为氧等离子体,举例而言,直接氧等离子体。还描述用于实施所述方法的处理工具及计算机可读介质。
本发明授权用于选择性间隙填充的低温等离子体预清洁在权利要求书中公布了:1.一种预清洁的方法,所述方法包含以下步骤: 使基座上的基板暴露于包含氧等离子体的等离子体处理,所述基板包含表面结构,所述表面结构具有金属底部、电介质侧壁和电介质场,所述金属底部包含钨W、钴Co或钌Ru的一者或多者,以从所述金属底部、所述电介质侧壁和或所述电介质场去除化学残留物和或杂质,和或修复所述电介质侧壁和或所述电介质场中的表面缺陷;和 将包含冷却特征的所述基座的温度设定为大于或等于-20℃且小于或等于60℃,其中所述预清洁有效地提高后续金属沉积工艺的选择性。
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