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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823340B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110128779.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由赵猛设计研发完成，并于2021-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括相邻的第一区和第二区；采用第一离子注入工艺在第一区和第二区内注入第一离子，在第一区内和第二区内形成初始漂移区；在部分初始漂移区上形成栅极结构，栅极结构从第二区表面延伸到第一区表面；在形成栅极结构之后，采用第二离子注入工艺在第二区内注入第二离子，在第二区内形成体区，并使第一区的初始漂移区形成漂移区，体区的深度大于漂移区的深度，且部分体区位于栅极结构底部，第二离子的导电类型与第一离子的导电类型相反；采用第三离子注入工艺在体区内注入第三离子，第三离子的导电类型与第二离子的导电类型相同。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。

本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区和第二区； 采用第一离子注入工艺在所述第一区和第二区内注入第一离子，在第一区内和第二区内形成初始漂移区； 在部分所述初始漂移区上形成栅极结构，所述栅极结构从第二区表面延伸到第一区表面； 在形成所述栅极结构之后，采用第二离子注入工艺在所述第二区内注入第二离子，在第二区内形成体区，并使第一区的初始漂移区形成漂移区，所述体区的深度大于所述漂移区的深度，且部分体区位于所述栅极结构底部，所述第二离子的导电类型与第一离子的导电类型相反，位于栅极结构底部的体区的深度小于位于栅极结构底部区域外的体区的深度； 采用第三离子注入工艺在所述体区内注入第三离子，在体区表面形成增强区，所述第三离子的导电类型与第二离子的导电类型相同，位于栅极结构底部的增强区的深度小于位于栅极结构底部区域外的增强区的深度； 采用第四离子注入工艺在所述体区内注入第四离子，在体区表面形成反型区，所述第四离子的导电类型与第一离子的导电类型相同，所述第四离子注入工艺的注入深度小于所述第三离子注入工艺的注入深度，部分所述反型区还位于所述栅极结构底部，位于栅极结构底部的反型区的深度小于位于栅极结构底部区域外的反型区的深度。

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