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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744087B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210527150.2，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种LED芯片及其制备方法是由林志伟;罗桂兰;尤翠萍;李艳;陈凯轩设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过设置在外延叠层的台面依次形成第一电流阻挡层和电流扩展层，且P型电极包括互连的P型连接部和P型扩展部；其中，所述P型连接部层叠于所述第一电流阻挡层的表面，并通过通孔嵌入所述第一电流阻挡层的方式与所述P型半导体层形成连接；所述P型扩展部从所述P型连接部的外围通过层叠于所述电流扩展层表面的方式延伸至所述台面的边缘。基于此，解决了大驱动电流所导致的电流拥挤现象，并有效提高LED的外量子效率。同时，所述P型连接部层叠于所述第一电流阻挡层的表面，并通过通孔嵌入所述第一电流阻挡层的方式与所述P型半导体层形成连接，可有效解决电极的脱落问题，提高LED芯片的可靠性。

本发明授权一种LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，包括： 衬底； 设置于所述衬底表面的外延叠层，所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的N型半导体层、有源区以及P型半导体层，且所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的N型半导体层形成凹槽及台面；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层； 第一电流阻挡层，其层叠于所述台面的部分表面； 电流扩展层，其层叠于所述台面且至少覆盖部分所述第一电流阻挡层； P型电极，其包括互连的P型连接部和P型扩展部；其中，所述P型连接部层叠于所述第一电流阻挡层的表面，并通过通孔嵌入所述第一电流阻挡层的方式与所述P型半导体层形成连接；所述P型扩展部从所述P型连接部的外围通过层叠于所述电流扩展层表面的方式延伸至所述台面的边缘；且所述P型扩展部与所述第一电流阻挡层在所述衬底表面的投影重叠； N型电极，其层叠于所述凹槽； 钝化层，其覆盖所述P型扩展部及所述外延叠层的裸露部； 其中，所述P型扩展部在所述衬底表面的投影面积小于所述第一电流阻挡层在所述衬底表面的投影面积； 在所述凹槽底面设有第二电流阻挡层，且所述N型电极包括互连的N型连接部和N型扩展部。

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