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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678274B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011573168.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由黄豪俊;李波设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区，第一区上具有若干相互分立的第一鳍部；在第一区上形成第一栅极结构；在衬底上形成介质层；采用各向异性刻蚀工艺去除第一栅极结构、以及第一栅极结构覆盖的部分第一鳍部，在介质层内和第一鳍部内形成隔离开口；对隔离开口进行清洗处理，去除隔离开口内的残留物；由于采用的为各向异性刻蚀工艺，因此能够保证在去除第一栅极结构的过程中，减小了发生过刻蚀介质层进而损伤到其他器件结构的问题。另外，在形成隔离开口之后，对隔离开口进行清洗处理，去除隔离开口内的残留物，使得后续在隔离开口内形成的隔离结构具有较好的填充效果，进而提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构形成的方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区、以及与所述第一区相邻的第二区，所述第一区上具有若干相互分立的第一鳍部，所述第二区上具有若干相互分立的第二鳍部，所述第二鳍部和所述第一鳍部平行排布； 在所述第一区上形成第一栅极结构、以及在所述第二区上形成第二栅极结构，所述第一栅极结构横跨于所述第一鳍部上，所述第二栅极结构横跨于所述第二鳍部上； 在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述第一栅极结构的侧壁； 采用各向异性刻蚀工艺去除所述第一栅极结构、以及所述第一栅极结构覆盖的部分所述第一鳍部，在所述介质层内和所述第一鳍部内形成隔离开口； 对所述隔离开口进行清洗处理，去除所述隔离开口内的残留物； 在所述清洗处理之后，在所述隔离开口内形成隔离结构，所述隔离结构为SDB结构；其中， 所述清洗处理包括：第一清洗处理、以及在所述第一清洗处理进行之后的第二清洗处理； 所述第一清洗处理具有各向同性的特性，以去除拐角处的残留物； 所述第二清洗处理的水溶液掺入有HCl，且掺入HCl的水溶液在N2的作用下呈具有冲击力的雾状喷出。

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